频率范围：100 MHz - 6 GHz
　　输出功率：13 W（典型值）
　　漏极电压：28 V
　　工作电流：750 mA（典型值）
　　增益：14 dB（典型值）
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　封装尺寸：符合行业标准
　　输入/输出阻抗：50 Ω（标称）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

CMD4D13NP-100MC具备多项卓越的电气和物理特性，使其在高性能射频系统中表现优异。
　　首先，该晶体管采用氮化镓（GaN）技术，相较于传统的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）晶体管，具有更高的击穿电压、更高的热导率以及更优的高频性能。这使得CMD4D13NP-100MC能够在高电压和高频率条件下稳定工作，同时保持较低的功耗和发热。
　　其次，该器件的频率范围覆盖100 MHz至6 GHz，使其适用于多种无线通信频段，包括蜂窝通信（如4G LTE和5G NR）、Wi-Fi 6E、点对点微波通信等。其宽频带特性允许设计者在多个频段内使用同一器件，从而减少库存和设计复杂度。
　　第三，CMD4D13NP-100MC在28V工作电压下提供高达13W的输出功率，增益约为14dB，具有良好的线性度和效率。这种高功率密度和高能效的组合，使其成为高要求射频功率放大器的理想选择，尤其是在需要高数据吞吐量和低延迟的应用中。
　　此外，该晶体管采用表面贴装（SMT）封装形式，便于自动化装配和集成到现代射频电路板中。SMT封装还具有良好的热管理和高频性能，有助于提高系统的可靠性和稳定性。
　　最后，CMD4D13NP-100MC的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其在极端环境条件下仍能正常运行，适用于工业、军事和航空航天等高可靠性应用场景。

CMD4D13NP-100MC广泛应用于多种高频、高功率射频系统中，尤其适用于需要高效率、高线性度和宽带操作的场合。
　　主要应用领域包括：
　　1. **蜂窝基站**：适用于4G LTE和5G NR基站中的射频功率放大器模块，提供高输出功率和良好线性度，以支持更高的数据速率和更广的覆盖范围。
　　2. **Wi-Fi 6E基础设施**：用于下一代Wi-Fi接入点和路由器中的射频前端模块，以满足更高频段（如6GHz频段）下的高速数据传输需求。
　　3. **军事通信系统**：由于其宽频带、高可靠性和高温耐受性，CMD4D13NP-100MC可用于战术通信设备、雷达系统和电子战平台。
　　4. **测试与测量设备**：作为高性能射频信号源或放大器，用于频谱分析仪、信号发生器和功率计等测试设备中。
　　5. **卫星通信系统**：适用于地面站和卫星终端中的发射模块，支持高频段（如C波段、X波段和Ku波段）的高效功率放大。
　　6. **点对点微波通信**：用于长距离、高速无线通信链路中的射频放大器，支持高带宽数据传输。
　　7. **物联网（IoT）网关**：作为远距离通信协议（如LoRa或NB-IoT）中的射频功率放大器，以提升信号覆盖范围和稳定性。

CGH40010F, CGH40025F, NPT1007, GaN0403SC