CMD4D13-150MC 时间：2025/9/9 7:58:08 阅读：36

CMD4D13-150MC是一款高性能的射频（RF）功率晶体管，主要用于高功率射频放大器应用。这款晶体管采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具备高效率、高增益和高可靠性等特点。CMD4D13-150MC广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播系统和工业设备等。该器件能够在高频率下工作，支持多种通信标准，包括GSM、CDMA、WCDMA、LTE等。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　封装类型：表面贴装
　　工作频率：最高可达2.5 GHz
　　输出功率：150 W（典型值）
　　漏极电压：65 V
　　增益：25 dB（典型值）
　　效率：超过65%
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

CMD4D13-150MC具有优异的射频性能和稳定性，适合在高功率环境下工作。其LDMOS结构提供了更高的线性度和效率，能够有效减少信号失真并提升系统性能。该器件在宽频率范围内保持稳定的工作状态，使其适用于多种射频应用。CMD4D13-150MC的高效率特性有助于降低能耗，提高设备的整体能效。此外，该晶体管具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长期运行而不会显著影响性能。其表面贴装封装设计便于自动化生产和集成，适用于现代高密度电路板布局。