类型：射频功率MOSFET
　　技术：硅基LDMOS
　　最大漏极电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　输出功率：典型值为250W（在2.7GHz时）
　　频率范围：DC至3GHz
　　增益：典型值20dB
　　效率：典型值65%
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：TO-247或类似功率封装
　　输入阻抗：50Ω（典型）

CMD4D08-100MC具备高功率处理能力和宽带工作特性，能够在2.7GHz频率下提供高达250W的输出功率，适用于多种射频应用。其LDMOS技术确保了在高频下的高效率和线性度，同时具备良好的温度稳定性和可靠性。该器件在设计上优化了热管理和射频性能，确保在高功率条件下稳定运行。此外，CMD4D08-100MC的50Ω输入阻抗设计简化了与射频源的匹配过程，提高了系统的集成度和实用性。其宽带特性使其适用于多频段操作，减少了更换元件的需求。
　　该器件还具有较低的交叉调制失真，适合用于需要高线性度的应用，如通信基站和测试设备。CMD4D08-100MC的封装设计便于安装在散热器上，以确保在高功率条件下的长期稳定运行。

CMD4D08-100MC广泛应用于射频功率放大器、工业和科学设备（如射频加热和等离子体发生器）、广播设备、测试与测量仪器以及通信基础设施。其高功率和宽带特性使其成为多频段无线通信系统、射频能量应用和高频放大器设计的理想选择。此外，该器件也适用于需要高效率和高稳定性的射频放大场合，如医疗设备、射频感应和无线充电系统。

CMD3C05-100S，CMPA2735030F，NXP的BLF881，STMicroelectronics的STAC2915