CMD284P4是一款由MACOM公司制造的GaAs(砷化镓)场效应晶体管(FET),专为高频率和微波应用设计。这款晶体管在射频(RF)和微波电路中广泛用于放大和开关应用,尤其是在需要高线性度和低噪声性能的场合。CMD284P4采用表面贴装封装(SMD),适合高密度电路板设计,并提供良好的热管理和高频性能。
类型:GaAs FET
频率范围:DC至18 GHz
增益:18 dB(典型值)
输出功率:28 dBm(典型值)
噪声系数:2.5 dB(典型值)
漏极电流:100 mA(典型值)
漏极电压:10 V(最大值)
输入/输出阻抗:50 Ω
封装类型:4引脚SMD
CMD284P4具有优异的高频性能,适用于从直流到18 GHz的广泛频率范围,使其成为微波通信、测试设备和雷达系统等应用的理想选择。
该器件提供高增益和高输出功率,典型增益为18 dB,输出功率可达28 dBm,确保在低功耗条件下仍能实现高性能信号放大。
其低噪声系数(典型值为2.5 dB)有助于在接收端保持信号的清晰度,减少信号干扰和失真。
该晶体管采用4引脚SMD封装,便于表面贴装工艺(SMT),提高了PCB布局的灵活性和可靠性。
CMD284P4还具有良好的热稳定性,能够在高功率操作下保持稳定性能,适合长期运行的工业和军事应用。
此外,该器件具有优异的线性度,使其适用于需要高保真信号处理的应用,如宽带通信系统和射频测试仪器。
CMD284P4广泛应用于微波通信系统,如卫星通信、点对点无线传输和雷达系统。
该器件也常用于射频测试设备,如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪,以确保测试信号的高保真传输。
由于其高线性度和低噪声特性,CMD284P4也适用于无线基础设施设备,如基站放大器和中继器。
此外,该晶体管在航空航天和国防电子系统中也有广泛应用,包括电子战系统、导航设备和高频雷达前端模块。
在工业自动化和测试测量设备中,CMD284P4用于构建高频信号放大器和射频功率控制电路。
HMC414MS8E, ATF-54143, CGH40010F