CMD235C4 时间：2025/8/15 12:37:13 阅读：20

CMD235C4是一款高性能的GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），由美国制造商Custom MMIC设计制造。该器件是一款适用于微波和毫米波频段应用的低噪声放大器（LNA）核心组件，具有优异的噪声系数和高线性增益特性。CMD235C4采用4引脚的SMT（表面贴装技术）封装，便于在高频电路板上安装和集成。该器件广泛用于无线通信、测试设备、雷达系统以及需要高灵敏度信号放大的应用场景。

参数

类型：GaAs FET低噪声放大器
　　频率范围：DC至40 GHz
　　噪声系数：0.5 dB（典型值）
　　增益：20 dB（典型值）
　　输出IP3：+25 dBm（典型值）
　　工作电压：5 V
　　工作电流：60 mA（典型值）
　　封装形式：4引脚SMT
　　输入/输出阻抗：50Ω

特性

CMD235C4是一款专为高性能射频和微波系统设计的低噪声放大器核心器件。其基于GaAs工艺的场效应晶体管结构提供了极低的噪声系数，通常在0.5 dB以下，确保在微弱信号接收时能够最大程度地保留信号完整性。此外，该器件在广泛的频率范围内（从直流到40 GHz）表现出色，适用于多种高频应用。
　　在增益方面，CMD235C4提供高达20 dB的典型线性增益，使其在低信号电平条件下也能提供显著的信号增强。其输出三阶交调截距（IP3）为+25 dBm，表明该器件在面对高功率信号时仍能保持良好的线性度和失真性能，适合用于需要高动态范围的系统。
　　工作电压为5 V，工作电流为60 mA左右，功耗相对较低，适合电池供电或对功耗敏感的应用。该器件采用4引脚SMT封装，便于自动化生产和高频PCB布局，并且具有良好的热稳定性和机械可靠性。
　　CMD235C4无需外部匹配电路即可在较宽的频率范围内工作，降低了设计复杂性和电路板空间需求。同时，该器件具有优异的温度稳定性，能够在-40°C至+85°C的工业温度范围内稳定运行。