工作频率：DC 至 4 GHz
　　插入损耗：典型值 0.3 dB（频率范围内）
　　隔离度：典型值 35 dB @ 2 GHz
　　VSWR：典型值 1.2:1
　　工作电压：+3.3 V 至 +5.0 V
　　控制电压：CMOS 兼容
　　封装类型：8 引脚 TSSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

CMD226C3 是一款高性能的射频开关，具有低插入损耗和高隔离度的特性，使其在射频信号路径中能够实现高效的信号切换。该芯片的工作频率范围覆盖 DC 至 4 GHz，适用于多种无线通信标准，包括 GSM、WCDMA、LTE 和 Wi-Fi 等。
　　其插入损耗在全频段内保持在 0.3 dB 左右，显著优于许多同类产品，从而减少了信号衰减，提高了系统灵敏度。同时，隔离度在 2 GHz 频率下可达 35 dB，确保在不同通道之间实现良好的信号隔离，避免串扰和干扰。
　　CMD226C3 的输入和输出端口具有良好的驻波比（VSWR）性能，典型值为 1.2:1，表明其在各种负载条件下都能保持稳定的传输性能。芯片采用 CMOS 兼容的控制电压，支持 3.3 V 和 5 V 控制逻辑，便于与各种微控制器和逻辑电路集成。
　　此外，CMD226C3 采用 8 引脚 TSSOP 封装，具有小型化、轻量化和良好的热稳定性，适用于高密度 PCB 布局和自动化装配工艺。其宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在工业级环境条件下可靠运行。

CMD226C3 主要用于需要高频信号切换的射频系统中。典型应用包括多频段通信设备、射频测试仪器、天线切换系统、无线基站、工业自动化设备以及医疗成像设备中的射频信号路由控制。
　　在通信系统中，CMD226C3 可用于实现双工器或滤波器之间的切换，以支持不同的频段操作。在测试设备中，该芯片可用于构建多通道信号切换模块，实现快速、可靠的信号路径配置。此外，在无线基础设施中，CMD226C3 可用于自动切换天线或功放模块，以提高系统的灵活性和可靠性。
　　由于其优异的电气性能和坚固的封装设计，CMD226C3 也适用于恶劣环境下的工业控制系统，例如远程监测和数据采集系统。在医疗设备中，该芯片可应用于射频消融或磁共振成像（MRI）系统中的信号控制模块。

HMC649ALP3E, PE42020, SKY13370-345LF