CMD1N60 时间：2025/8/6 20:47:41 阅读：32

CMD1N60是一款由Central Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于各种电源管理及开关应用。该器件设计用于高效能、高可靠性操作，具有低导通电阻、高耐压能力等特点，广泛应用于电源适配器、DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：1.0A
　　最大漏-源电压（VDS）：600V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值4.5Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-92

特性

CMD1N60具备出色的电气性能和热稳定性，适合在高电压环境下使用。其低导通电阻确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压情况下保持稳定运行。器件采用TO-92封装，便于安装和散热管理，适合通孔焊接工艺。
　　在栅极驱动方面，CMD1N60支持标准的10V驱动电压，兼容常见的MOSFET驱动电路。其±20V的栅极电压容限提供了更强的抗干扰能力，避免因过高的栅极电压而导致器件损坏。同时，器件的高漏-源击穿电压（600V）使其适用于高压开关电路，如电源供应器和马达控制模块。
　　该MOSFET还具有良好的温度稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的导通和关断特性。其最大连续漏极电流为1.0A，在合理散热条件下能够满足多数中功率应用的需求。