工作频率：2 GHz 至 18 GHz
　　增益：约 20 dB（典型值）
　　噪声系数：约 1.5 dB（典型值）
　　输出IP3：约 25 dBm（典型值）
　　输入回波损耗：15 dB（典型）
　　输出回波损耗：12 dB（典型）
　　工作电压：5V
　　工作电流：85 mA（典型）
　　封装类型：4 mm 表面贴装（SMT）

CMD182C4-EVB 采用 GaAs MMIC 技术制造，具有优异的高频性能和稳定性。其宽带设计支持 2 GHz 至 18 GHz 的广泛频率范围，适用于多频段和宽带通信系统。该器件的低噪声系数（约 1.5 dB）确保了在接收路径中保持信号的高清晰度和低干扰。同时，高增益（约 20 dB）和良好的三阶交调截距（IP3 为 25 dBm）使得它在高线性度要求的应用中表现出色。
　　该放大器的输入和输出回波损耗分别达到 15 dB 和 12 dB，表明其具有良好的阻抗匹配能力，减少了信号反射并提高了系统效率。CMD182C4-EVB 采用 4 mm 表面贴装封装，便于 PCB 集成和自动化装配。此外，该器件的工作电压为 5V，工作电流为 85 mA，具有较低的功耗特性，适合电池供电设备和高密度电路设计。
　　作为一款工业级产品，CMD182C4-EVB 的设计保证了在极端温度和环境条件下仍能保持稳定性能，适合用于军事、航空航天、测试测量仪器和高端通信设备。

CMD182C4-EVB 常用于高性能射频和微波系统，包括通信基础设施（如基站和无线回传系统）、测试与测量设备（如频谱分析仪和信号发生器）、雷达和电子战系统、卫星通信设备、航空航天与国防系统，以及高精度传感器和射频前端模块。其宽带、低噪声和高线性度特性使其在多频段和宽频系统中具有重要价值。

HMC635LC4B, ADL5523, MAX2640