工作频率：2 GHz - 18 GHz
　　输出功率：典型值 10 W（脉冲模式）
　　增益：>20 dB
　　漏极电压：28 V
　　漏极电流：典型值 600 mA
　　输入驻波比（VSWR）：<2.5:1
　　输出驻波比（VSWR）：<2.0:1
　　封装形式：陶瓷金属封装（CM-3）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

CMD180C3 采用先进的 GaAs 技术制造，具有优异的宽带性能，可在 2 GHz 至 18 GHz 的宽频段范围内保持稳定的增益和输出功率。该器件在脉冲工作模式下可提供高达 10 W 的输出功率，适用于高线性度要求的射频放大系统。其高增益特性（>20 dB）有助于减少前端放大器的级数，从而降低系统的复杂性和成本。
　　此外，CMD180C3 设计为漏极电压为 28 V 的标准电源供电，便于集成到各种射频系统中。其漏极电流在典型工作条件下为 600 mA，确保器件在高功率输出下仍具有良好的稳定性和可靠性。该器件的输入和输出驻波比均控制在较低水平（<2.5:1 和 <2.0:1），减少了信号反射，提高了系统的匹配性能。
　　封装方面，CMD180C3 采用陶瓷金属封装（CM-3），具备优异的热导性和机械稳定性，适合在严苛环境（如高温、振动）下工作。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于军事、航空航天及高可靠性工业应用。

CMD180C3 主要应用于宽带射频功率放大器，特别是在军事通信、战术雷达、电子战系统和高频测试仪器中。由于其宽频带特性，该器件常用于多频段或多用途通信系统中，能够覆盖多个通信频段而无需更换器件。此外，其高线性度和良好的热稳定性使其成为脉冲雷达系统和高精度测量设备的理想选择。
　　在测试与测量设备中，CMD180C3 可作为驱动放大器使用，提供高稳定性和低失真的信号输出。在电子战系统中，该器件可用于干扰发射器或高功率信号源，满足复杂电磁环境下对高性能放大器件的需求。同时，由于其优异的热管理能力，CMD180C3 也可用于高可靠性工业设备，如远程无线通信系统和卫星地面站设备。

CMD180C3 可以使用 CMD180C3-HP、CMD180C3-MHS 或类似 GaAs FET 功率晶体管作为替代。在选择替代器件时，需确保其频率范围、输出功率、增益和封装形式与 CMD180C3 相匹配，以保证系统性能不受影响。