CMD11504R/G 是一款高性能、宽带宽的砷化镓 (GaAs) 基 MMIC 功率放大器芯片,专为高频率射频应用设计。该器件采用先进的 GaAs 工艺制造,具有高增益、高线性度和低噪声的特点。CMD11504R/G 通常应用于通信系统、雷达系统以及测试设备中,能够满足多种复杂环境下的射频信号处理需求。
该芯片的工作频率范围非常广,适用于 X 波段到 Ku 波段的高频应用。由于其出色的性能和稳定性,CMD11504R/G 成为许多高要求射频系统的理想选择。
工作频率范围:8 GHz 至 12 GHz
输出功率(Psat):20 dBm
增益:15 dB
输入回波损耗:大于 12 dB
输出回波损耗:大于 10 dB
电源电压:+6 V
静态电流:200 mA
封装形式:裸芯片
CMD11504R/G 的主要特性包括:
1. 宽带宽支持,能够覆盖从 8 GHz 到 12 GHz 的频率范围,适合多种射频应用。
2. 高输出功率,饱和输出功率达到 20 dBm,确保强大的信号传输能力。
3. 高增益,典型增益为 15 dB,减少对额外放大级的需求。
4. 良好的线性度和效率表现,保证在高动态范围内的稳定运行。
5. 输入和输出端口均具备良好的回波损耗性能,提高系统匹配能力。
6. 裸芯片封装形式,便于集成到各种微波模块中,节省空间并降低整体重量。
7. 稳定性和可靠性高,能够在恶劣环境下长期使用。
CMD11504R/G 主要应用于以下领域:
1. 通信系统中的射频信号放大,例如卫星通信、点对点无线电等。
2. 雷达系统中的发射机功率放大,包括气象雷达、军事雷达等。
3. 测试与测量设备中的信号源放大,用于生成高功率射频信号。
4. 其他需要高性能射频放大的应用场景,如电子战系统和射频识别系统。
CMD11404R/G, CMD11604R/G