类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：100V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100mA
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻(Rds(on))：约5Ω（典型值）
　　封装形式：TO-92
　　功率耗散(Pd)：300mW
　　存储温度范围：-55°C至150°C

CMC101J是一款适用于多种功率控制应用的MOSFET。其100V的漏源电压允许它在中高压应用中使用，如电源开关和DC-DC转换器。该器件的低导通电阻（典型值为5Ω）有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，CMC101J具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适应恶劣的工作环境。
　　该MOSFET的TO-92封装形式使其易于安装在印刷电路板上，并且适合手工焊接和自动化装配。CMC101J的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够与多种驱动电路兼容。在实际应用中，该器件能够有效地控制负载电流，并具有较快的开关速度，适合用于高频开关场合。
　　CMC101J的100mA连续漏极电流能力虽然相对较低，但足以满足小型功率控制、逻辑电平开关以及低功耗电源管理应用的需求。其低功耗特性和良好的热性能使其在电池供电设备和小型电子系统中表现出色。

CMC101J常用于多种电子设备中的功率控制电路。典型应用包括小型DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路、电源管理系统、低功耗电机控制、继电器替代电路以及各种需要低电压控制高电压负载的场合。由于其良好的热性能和易于使用的特点，CMC101J也广泛应用于教育实验、原型开发以及小型电子项目的功率控制部分。

2N7000, 2N7002, BSS138