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CMB80N06 发布时间 时间:2025/7/26 13:39:35 查看 阅读:15

CMB80N06是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于高功率和高频率的场合。该器件采用先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻和快速的开关特性。CMB80N06封装形式通常为TO-220或TO-263(表面贴装型),适用于多种电源管理和功率转换电路。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):80A
  导通电阻(Rds(on)):约3.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  功耗(Pd):200W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

CMB80N06 MOSFET具有多个关键特性,使其在高性能应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流下损耗较小,从而提高了系统的效率并降低了散热需求。其次,该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提升了开关速度,从而减少了开关损耗,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器等。
  此外,CMB80N06的栅极驱动电压范围较宽,支持+10V至+20V的Vgs,使其能够与多种栅极驱动器兼容。同时,该器件具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了在瞬态负载或感性负载切换时的可靠性。其封装设计也具备良好的热性能,有助于将热量有效地传导到散热器或PCB上,确保长时间运行的稳定性。
  从制造工艺来看,CMB80N06采用了高纯度硅材料和精密的光刻工艺,确保了器件的电气参数一致性与长期可靠性。该器件符合RoHS环保标准,适用于工业、汽车电子以及消费类高功率电子产品。

应用

CMB80N06广泛应用于多种高功率和高频电路中,常见的应用包括:DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、功率因数校正(PFC)模块、同步整流器、逆变器系统、高功率LED驱动器以及各种工业自动化和电源管理设备。由于其优异的导通性能和开关速度,它也常用于需要高效能和紧凑设计的车载电源系统和新能源设备中。

替代型号

IRF1405, FDP80N06S, SiR886DP, STP80NF06, IPW90R06S4-08

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