CMB80N06 时间：2025/7/26 13:39:35 阅读：26

CMB80N06是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高功率和高频率的场合。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。CMB80N06封装形式通常为TO-220或TO-263（表面贴装型），适用于多种电源管理和功率转换电路。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：80A
　　导通电阻(Rds(on))：约3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

CMB80N06 MOSFET具有多个关键特性，使其在高性能应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下损耗较小，从而提高了系统的效率并降低了散热需求。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提升了开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器等。
　　此外，CMB80N06的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V的Vgs，使其能够与多种栅极驱动器兼容。同时，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态负载或感性负载切换时的可靠性。其封装设计也具备良好的热性能，有助于将热量有效地传导到散热器或PCB上，确保长时间运行的稳定性。
　　从制造工艺来看，CMB80N06采用了高纯度硅材料和精密的光刻工艺，确保了器件的电气参数一致性与长期可靠性。该器件符合RoHS环保标准，适用于工业、汽车电子以及消费类高功率电子产品。

应用

CMB80N06广泛应用于多种高功率和高频电路中，常见的应用包括：DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、功率因数校正（PFC）模块、同步整流器、逆变器系统、高功率LED驱动器以及各种工业自动化和电源管理设备。由于其优异的导通性能和开关速度，它也常用于需要高效能和紧凑设计的车载电源系统和新能源设备中。