CMA20E1600PB 是一款由 Cissoid 生产的高温、高压功率 MOSFET 模块,专为极端环境下的高可靠性应用设计。该模块采用了先进的碳化硅(SiC)技术,使其能够在高温、高频和高电压条件下稳定运行。CMA20E1600PB 通常用于电动汽车(EV)、可再生能源系统、工业电机驱动以及航空航天等对可靠性和性能要求极高的领域。
类型:碳化硅(SiC)MOSFET模块
漏源电压(Vds):1600V
连续漏极电流(Id):20A
工作温度范围:-55°C 至 +225°C
封装形式:双列直插式陶瓷封装(DIP-Ceramic)
热阻(Rth):低热阻设计,具体数值参考数据手册
短路耐受能力:支持短时短路运行
最大功耗:根据散热条件而定
栅极驱动电压:+15V 至 -5V
CMA20E1600PB 拥有出色的高温耐受能力,能够在高达 225°C 的环境下正常工作,适用于极端工况下的电力电子系统。其基于碳化硅(SiC)的功率器件具备低导通压降和快速开关特性,从而显著提高系统效率并减少散热需求。该模块的双列直插式陶瓷封装不仅提供了优异的热管理性能,还具备良好的绝缘和机械稳定性,确保在恶劣环境中的长期可靠性。
此外,CMA20E1600PB 支持短时短路运行,增强了系统在异常情况下的稳定性。该模块适用于高频开关应用,可显著降低开关损耗并提升整体系统效率。其宽广的工作温度范围和高耐压能力使其成为电动汽车逆变器、直流-直流转换器、工业电机驱动器以及航空航天电源系统等高要求应用的理想选择。
CMA20E1600PB 主要应用于需要高可靠性和高性能的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车(EV)车载充电器、牵引逆变器、直流-直流转换器、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、工业电机驱动器、航空航天电源系统以及高温环境下的电力控制设备。由于其出色的高温耐受性和高功率密度,该模块特别适合于需要高效率、小体积和轻量化设计的应用场景。
CMA20E1200PB、CMA40E1200PB、Cree/Wolfspeed C3M0065090D、Infineon CoolSiC? IMZ120R048M1H008