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CM75TL-24NF 发布时间 时间:2025/9/29 19:12:08 查看 阅读:12

CM75TL-24NF是一款由Powerex(现为三菱电机半导体部门)生产的高功率模块化IGBT(绝缘栅双极型晶体管)变频器模块,广泛应用于工业电机驱动、逆变电源、不间断电源(UPS)、电焊机以及新能源发电系统等高功率变换场合。该器件属于第七代IGBT技术平台的产品,采用先进的沟槽栅场截止(Trench Gate Field-Stop)结构设计,具有低导通压降、快速开关特性以及优异的热稳定性,能够显著提高系统的整体能效和可靠性。CM75TL-24NF采用标准的七单元半桥拓扑结构,包含三相整流桥、单个制动单元以及三相逆变桥(每相上下桥臂各一个IGBT),适合构建三相交流电机驱动系统的核心功率部分。模块封装形式为行业通用的S-Type或Mini SKiiP结构,具备良好的散热性能和电气绝缘能力,额定电压等级为1200V,最大集电极电流可达75A,适用于600VAC及以下输入电压的三相变频应用。该模块还内置NTC温度传感器,便于实现过温保护和实时温度监控。

参数

型号:CM75TL-24NF
  制造商:Powerex / 三菱电机
  器件类型:IGBT模块(七单元)
  拓扑结构:三相整流桥 + 制动单元 + 三相逆变桥(7-in-1)
  额定电压VCES:1200V
  额定集电极电流IC(TC=80°C):75A
  最大结温Tj:150°C
  开关频率典型值:≤20kHz
  栅极驱动电压推荐值:+15V/-10V
  导通饱和电压VCE(sat) @ IC=75A, Tj=25°C:约1.95V
  反向恢复时间trr(二极管):约350ns
  热阻Rth(j-c):约0.35°C/W
  封装类型:S-Module / Mini SKiiP
  是否集成NTC:是

特性

CM75TL-24NF采用了三菱电机第七代IGBT芯片技术,其核心优势在于优化了载流子分布与电场控制机制,在保证高耐压能力的同时大幅降低了导通损耗和开关损耗。该模块内部IGBT芯片通过精细的沟槽栅与场截止层设计,实现了更低的VCE(sat),从而在中高负载工况下有效减少发热,提升系统效率。同时,其配套的快速软恢复二极管具备较低的反向恢复电荷Qrr和反向恢复电流尖峰,有助于抑制电磁干扰(EMI)并降低换流过程中的电压应力,提升系统运行的安全性与稳定性。
  该模块的七单元集成结构极大简化了外部电路布局,减少了连接线缆和焊接点数量,提高了系统整体的可靠性和可维护性。整流桥部分采用高效快恢复二极管,可在电网波动或瞬态冲击下保持稳定整流性能;逆变部分则支持高频PWM调制,适用于矢量控制、直接转矩控制等多种先进电机控制策略。内置的NTC热敏电阻位于模块基板附近,可准确反映IGBT芯片的热状态,配合控制器实现精确的温度保护逻辑,防止因过热导致的器件损坏。
  CM75TL-24NF还具备出色的抗浪涌能力和短路耐受时间(通常可达6μs以上),在突发故障条件下仍能维持一定时间的安全运行,为系统提供足够的保护响应窗口。此外,模块采用陶瓷基板和铝键合线工艺,结合高强度硅凝胶封装,具有良好的机械强度和长期工作稳定性,能够在高温、高湿、振动等恶劣工业环境中长期可靠运行。其标准化引脚布局也便于替换和自动化安装,广泛用于各类工业变频器、伺服驱动器和电源设备中。

应用

CM75TL-24NF主要应用于需要中等功率等级(约20–40kW)三相交流电机控制的工业设备中,典型使用场景包括通用交流变频器、高性能伺服驱动系统、电梯和扶梯驱动装置、压缩机与风机控制系统、电焊机电源模块以及太阳能逆变器中的DC-AC转换级。由于其集成了完整的三相整流与逆变功能,并带有制动单元,特别适合用于闭环调速系统中,能够实现能量回馈制动,提高能源利用效率。
  在新能源领域,该模块可用于小型风力发电变流器或光伏并网逆变器中作为主功率开关器件,凭借其高效率和高可靠性满足长时间连续运行的需求。此外,在工业电源如感应加热电源、UPS不间断电源系统中,CM75TL-24NF也可作为核心开关元件,承担DC-AC逆变任务,确保输出电压稳定且波形失真小。
  由于其具备良好的电磁兼容性和热稳定性,该模块也被广泛用于轨道交通辅助电源系统、电动汽车充电桩的功率级设计以及各类专用电源设备中。无论是在恒转矩负载还是变转矩负载的应用环境下,CM75TL-24NF均表现出优异的动态响应能力和长期运行可靠性,是工业自动化与电力电子系统中关键的功率组件之一。

替代型号

MG75Q2YS60
  2MBI75U2H-120
  F4-75RBF120M

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CM75TL-24NF参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置三相反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)11.5nF @ 10V
  • 功率 - 最大520W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 配用BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT