您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CM75TF-28H

CM75TF-28H 发布时间 时间:2025/9/29 18:31:54 查看 阅读:40

CM75TF-28H是一款由IXYS(现隶属于Littelfuse)公司生产的高功率半导体器件,属于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块系列。该模块专为高电压、大电流的工业电力电子应用而设计,适用于需要高效开关性能和可靠热管理的场合。CM75TF-28H采用先进的封装技术,具备良好的电气隔离和散热能力,能够在恶劣的工作环境中稳定运行。该模块内部通常集成了两个IGBT芯片和对应的反并联快速恢复二极管,构成半桥拓扑结构,便于在逆变器、电机驱动和电源系统中使用。
  CM75TF-28H的额定电压为1200V,额定电流为75A,适用于中等功率级别的电力转换系统。其设计符合国际安全标准,具备较高的抗浪涌能力和短路耐受能力,能够有效提升系统的整体可靠性。此外,该模块还具有低导通压降和低开关损耗的特点,有助于提高系统效率并减少散热需求。由于其紧凑的外形尺寸和标准化的安装方式,CM75TF-28H易于集成到各种电力电子设备中,是工业自动化、可再生能源系统和电能质量治理等领域中的理想选择。

参数

型号:CM75TF-28H
  类型:IGBT模块
  拓扑结构:半桥
  集电极电流(IC):75A
  集电极峰值电流(ICM):150A
  集射极击穿电压(BVCES):1200V
  栅极阈值电压(VGE(th)):典型值5.0V,范围4.0~6.0V
  饱和压降(VCE(sat))@25°C:典型值1.95V @ IC=75A, VGE=15V
  开关时间(ton):典型值130ns
  开关时间(toff):典型值350ns
  反向恢复时间(trr):典型值45ns
  工作结温范围(Tj):-40°C ~ +150°C
  存储温度范围(Tstg):-40°C ~ +150°C
  隔离电压(Viso):2500VAC/分钟
  热阻(Rth(j-c)):0.35°C/W

特性

CM75TF-28H具备优异的电气和热性能,其核心优势在于高电压阻断能力和强大的电流承载能力。该模块采用先进的沟槽栅场截止(Trench Field-Stop)IGBT技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,从而提升了整体能效。其VCE(sat)在额定工作条件下仅为1.95V左右,相比传统IGBT器件具有更低的功耗表现,减少了对散热系统的要求,有助于缩小整机体积。
  该模块内置的快速恢复二极管具有较短的反向恢复时间(trr约45ns),有效抑制了换流过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提高了系统的电磁兼容性。同时,二极管的软恢复特性也降低了开关应力,延长了器件寿命。
  CM75TF-28H采用高强度陶瓷绝缘基板和针翅式底板设计,提供了优良的热传导路径和机械稳定性。其热阻Rth(j-c)仅为0.35°C/W,确保在高负载工况下仍能保持较低的结温,增强了长期运行的可靠性。
  模块封装符合UL、IEC等国际安全认证标准,具备2500VAC的电气隔离能力,适用于工业级安全要求。其引脚布局优化,支持螺钉固定安装,便于与散热器紧密接触,进一步提升散热效率。
  此外,该器件具有良好的短路耐受能力,典型短路持续时间为10μs,在过流或异常工况下可为控制系统提供足够的保护响应时间,避免灾难性故障的发生。

应用

CM75TF-28H广泛应用于各类中等功率的电力电子变换装置中。在工业电机驱动领域,常用于三相逆变器中作为主开关器件,驱动感应电机或永磁同步电机,适用于泵、风机、压缩机等节能调速系统。
  在可再生能源系统中,该模块可用于太阳能光伏逆变器的DC-AC转换环节,将直流电高效地转换为交流电并入电网,其高效率和高可靠性有助于提升发电系统的整体性能。
  在不间断电源(UPS)系统中,CM75TF-28H可用于逆变器级,实现市电与电池之间的无缝切换,保障关键负载的持续供电。
  此外,该模块还适用于电焊机、感应加热、电能质量调节装置(如有源滤波器APF、动态电压恢复器DVR)以及电动汽车充电桩等电力变换设备。其宽泛的工作温度范围和强健的封装结构使其能够在高温、高湿、振动等恶劣工业环境中稳定运行,满足严苛的应用需求。

替代型号

CM100DY-24H
  CM75TX-24T
  FFSH75120A
  MG75Q2YS60
  SKM75GB12T4

CM75TF-28H推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CM75TF-28H资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

CM75TF-28H参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置三相反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1400V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)4.2V @ 15V,75A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)75A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)15nF @ 10V
  • 功率 - 最大600W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块