类型：MCT（MOS控制晶闸管）
　　最大阻断电压：1200V
　　额定通态电流（IT(RMS)）：75A
　　峰值通态电流（ITSM）：1200A（单半波）
　　门极触发电压：典型值3.5V（开启）
　　通态电压（VT）：约2.0V（在IT=75A时）
　　关断时间（toff）：典型值2μs
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AD
　　热阻（Rth(j-c)）：约0.8°C/W

CM75DUS-12F的核心特性之一是其基于MCT技术的独特开关行为，这种技术融合了MOSFET的电压驱动特性和传统晶闸管的低导通损耗优点。器件通过栅极施加负脉冲实现导通，而施加正脉冲则可实现主动关断，因此具备自关断能力，克服了普通晶闸管无法通过门极控制关断的局限性。这一特性使其在复杂拓扑结构如谐振变换器或软开关电路中表现出色。其1200V的高阻断电压等级允许其在中高压直流母线系统中安全运行，适用于600V及以上交流输入的整流逆变系统。
　　另一个显著特点是其优异的热性能和电流处理能力。CM75DUS-12F能在连续负载下承载75A RMS电流，并能承受高达1200A的非重复浪涌电流（单个正弦半波），这使其在面对电机启动、变压器励磁涌流等瞬态冲击时仍能保持稳定运行。此外，该器件的通态压降较低，在满负荷工作时约为2.0V，远低于同等规格IGBT的饱和压降，从而显著降低导通损耗，提升系统能效。
　　在可靠性方面，CM75DUS-12F采用坚固的TO-247封装，提供优良的电气隔离和热传导路径，便于安装于散热器上进行强制冷却。其宽广的工作温度范围（-40°C至+150°C）确保了在极端环境下的长期稳定性，特别适用于工业自动化、电焊机、感应加热电源等高温高湿或粉尘较多的现场环境。同时，该器件对电磁干扰（EMI）具有较强抗扰度，有助于提高系统整体的电磁兼容性。尽管MCT技术在市场上相对小众，但CM75DUS-12F凭借其独特的性能组合，在特定高要求应用场景中仍具不可替代性。

CM75DUS-12F广泛应用于各类高功率电力电子设备中，尤其是在需要高效、高频开关操作的系统中表现突出。常见应用领域包括感应加热电源，其中该器件用于构建串联或并联谐振逆变器，将工频电能转换为高频交流以驱动感应线圈产生涡流加热金属材料。在电焊机设备中，CM75DUS-12F可用于主功率回路的斩波或逆变单元，实现精确的电流控制和快速响应，提高焊接质量与稳定性。
　　此外，该器件也适用于中高压直流（HVDC）传输系统的斩波调节模块，以及大功率UPS不间断电源中的逆变电路。在这些系统中，CM75DUS-12F能够承受较高的电压应力和持续的大电流输出，同时保持较低的功耗和温升。由于其具备自关断能力，也可用于构建无源换流或强迫换流电路，替代传统的SCR加换流电路组合，简化系统结构并提高动态响应速度。
　　在电机驱动领域，尤其是大功率异步电机或同步电机的变频调速系统中，CM75DUS-12F可用于构建电压源型或电流源型逆变器，实现高效的能量转换。其快速关断能力和良好的热稳定性使其适合在频繁启停或重载运行的工况下使用。此外，该器件还可应用于高压脉冲电源、激光电源、电磁发射装置等特种电源系统中，作为核心开关元件执行能量释放与控制功能。

CM100DY-12H
　　CM75DY-12
　　CM75DUS-12