CM50TL-24NF是一款由Central Semiconductor Corp生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降优点,适用于中等功率级别的开关应用。CM50TL-24NF采用三相全桥拓扑结构设计,内部集成了多个IGBT芯片与反并联快速恢复二极管,具备良好的热稳定性和电流处理能力。其封装形式为大功率平面型模块,便于安装散热器以实现有效热管理,适合在工业驱动、逆变电源、UPS不间断电源以及电机控制等领域使用。该模块具有较低的开关损耗和导通损耗,有助于提升系统整体能效,并支持较高的工作结温,增强了在恶劣环境下的运行可靠性。
类型:IGBT模块
配置:三相全桥(6个IGBT单元)
集电极-发射极电压Vce(max):1200V
集电极电流Ic(25°C):50A
集电极电流Ic(100°C):25A
栅极-发射极电压Vge(max):±20V
饱和导通电压Vce(sat)@Ic=50A,Vge=15V:约2.0V
开关时间-开通延迟时间td(on):约0.8μs
开关时间-上升时间tr:约0.6μs
开关时间-关断延迟时间td(off):约2.5μs
开关时间-下降时间tf:约1.2μs
反向恢复时间trr:约0.3μs
工作结温范围Tj:-40°C 至 +150°C
存储温度范围Tstg:-55°C 至 +150°C
隔离电压:2500Vrms/分钟
封装类型:平面型功率模块
CM50TL-24NF具备优异的电气性能和热稳定性,其核心优势在于采用了先进的沟槽栅场截止(Trench Field-Stop)IGBT技术,显著降低了导通压降和开关损耗,从而提高了系统的整体能效。该模块内部集成六个独立的IGBT单元构成三相全桥电路结构,每个IGBT均配有一个高速软恢复二极管作为续流元件,有效抑制了换流过程中产生的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升了系统运行的平稳性与安全性。
该器件具有良好的短路耐受能力,在规定的栅极驱动条件下可承受数微秒级别的短路电流冲击而不损坏,增强了系统面对异常工况时的鲁棒性。此外,其优化的芯片布局和低寄生电感设计减少了内部杂散电感对开关过程的影响,有利于实现更高的开关频率,同时降低动态应力对器件的损害。
CM50TL-24NF采用陶瓷基板与铜底板结构,具备优良的热传导性能,能够快速将芯片热量传递至外部散热装置,确保长时间高负载运行下的温度可控性。其绝缘性能达到2500Vrms/min的标准,满足工业级电气安全要求,适用于各种需要电气隔离的应用场景。
该模块还具备较强的抗浪涌电流能力,可在短时间内承受超过额定值数倍的峰值电流,适用于启动电流较大的电机驱动或逆变场合。综合来看,CM50TL-24NF以其高集成度、高可靠性和高性能表现,成为中小功率变频器、伺服驱动器和光伏逆变器等设备中的理想选择。
CM50TL-24NF主要应用于各类中等功率等级的电力变换装置中。典型应用场景包括工业用交流变频驱动系统,用于控制三相异步电机的转速与转矩,广泛服务于风机、水泵、传送带等自动化设备;在不间断电源(UPS)系统中,该模块可用于DC/AC逆变环节,实现市电中断时的无缝供电切换,保障关键负载持续运行;在太阳能光伏发电系统中,CM50TL-24NF可用于组串式逆变器的核心功率转换部分,将光伏阵列产生的直流电高效转换为符合电网要求的交流电。
此外,该模块也适用于焊接电源、感应加热设备及小型电动车辆的电机控制器中。由于其具备良好的动态响应能力和热稳定性,能够在频繁启停和负载波动较大的工况下保持稳定工作。在伺服控制系统中,CM50TL-24NF可用于精确控制电机的位置、速度和加速度,满足高精度运动控制需求。其紧凑的模块化设计简化了系统布局,降低了装配复杂度,有利于提高整机的可靠性与维护便利性。因此,CM50TL-24NF是现代电力电子系统中不可或缺的关键元器件之一。
SKM50GB12T4
FF50R12KS4
MG50Q2YS60