时间：2025/9/29 19:59:17
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CM50TF-12H是一款由Creepage（赛米微尔）推出的50A/1200V的TO-247封装的碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）。该器件采用宽禁带半导体材料——碳化硅（SiC）制造，具备优异的高温、高频和高效率性能。由于其无反向恢复电荷（Qrr≈0）的特性，CM50TF-12H在开关过程中几乎不产生反向恢复电流，从而显著降低开关损耗，提高系统整体能效。该器件特别适用于高功率密度和高频率工作的电力电子系统中。
CM50TF-12H采用TO-247-2L封装，具有良好的热传导性能和机械稳定性，适合在恶劣环境下长期运行。其高阻断电压能力（1200V）使其能够广泛应用于工业电机驱动、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电系统以及各类开关电源拓扑结构中。此外，该器件可在高达175°C的结温下稳定工作，具备出色的热可靠性，减少了对复杂散热系统的需求，有助于简化系统设计并降低成本。
类型：碳化硅肖特基二极管
封装：TO-247-2L
额定平均正向电流(IF(AV))：50A
最大重复峰值反向电压(VRRM)：1200V
最大直流阻断电压(VR)：1200V
最大正向压降(VF)：1.7V @ 50A, 25°C
反向漏电流(IR)：1.0mA @ 1200V, 25°C；5.0mA @ 1200V, 150°C
结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
热阻结到外壳(RθJC)：1.2°C/W 典型值
反向恢复时间(trr)：典型值为0ns（无反向恢复电荷）
安装扭矩：0.6～0.8 N·m
CM50TF-12H的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性所带来的高性能表现。传统硅基P-N结二极管在关断过程中会产生显著的反向恢复电荷（Qrr），导致较大的开关损耗和电磁干扰（EMI），尤其在高频应用中问题更加突出。而CM50TF-12H作为一款碳化硅肖特基二极管，其势垒结结构从根本上避免了少子存储效应，因此在反向恢复过程中几乎没有电荷释放，实现了接近零的反向恢复电流和极短的恢复时间。这一特性极大地降低了在硬开关电路中的能量损耗，提升了变换器的整体效率，并允许更高的开关频率运行，从而可以使用更小的磁性元件和滤波电容，实现系统小型化和轻量化。
此外，CM50TF-12H具备优异的高温工作能力。在150°C高温条件下，其反向漏电流仍保持在较低水平（最大5mA @ 1200V），远优于同类硅基快恢复二极管。这种低漏电流特性有助于维持高温下的系统稳定性，减少热失控风险。同时，其正向压降随温度变化较小，表现出良好的温度稳定性，有利于并联使用时的电流均衡。器件可在-55°C至+175°C的宽结温范围内可靠运行，适应严苛工业环境和高功率密度应用场景。
从系统设计角度看，CM50TF-12H的低VF（1.7V @ 50A）虽然略高于理想情况，但在高电压等级SiC二极管中属于合理范围，结合其零Qrr特性，在多数工况下仍可显著降低总导通与开关损耗。TO-247封装具备良好的热传导路径，便于安装散热器，提升长期运行可靠性。该器件无需复杂的驱动电路或缓冲网络，可直接替换传统FRD或SiC MOSFET体二极管，简化设计流程。总体而言，CM50TF-12H凭借其高效、高温、高频三大优势，成为现代高效率电源系统中的关键器件之一。
CM50TF-12H广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。在光伏（PV）太阳能逆变器中，常用于DC-DC升压级的续流二极管或辅助电源整流环节，利用其零反向恢复特性减少开关损耗，提升整机转换效率，尤其是在MPPT（最大功率点跟踪）控制策略下效果显著。在工业变频器和伺服驱动器中，该器件可用于制动单元的能量回馈回路或作为IGBT模块的续流二极管替代方案，有效抑制电压尖峰并提升动态响应能力。
在不间断电源（UPS）系统中，特别是在双变换在线式UPS的逆变输出级，CM50TF-12H可用于防止反向电流流动，提高系统在负载突变或电网故障时的稳定性。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流充电桩的PFC（功率因数校正）电路中，如图腾柱PFC拓扑，CM50TF-12H可作为主整流器件，显著提升功率密度和能效等级，满足严苛的能源标准要求。
此外，该器件也适用于高密度通信电源、服务器电源、工业SMPS（开关模式电源）以及感应加热设备中的高频整流模块。在这些应用中，其高温耐受能力和低损耗特性有助于缩小散热器体积，降低系统噪音，并延长设备使用寿命。随着碳化硅技术的普及，CM50TF-12H正逐步替代传统硅基快恢复二极管，成为高端电源设计中的优选方案。
C50120SA-12H
CM50TD-12H
SK32F12060
Wolfspeed C5D50120D
