型号：CM50TF-12
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1200 V
　　漏极电流（Id）：50 A @ 25°C
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.85 Ω，最大值 1.05 Ω @ Vgs = 15 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：4.0 V ~ 6.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 4500 pF
　　输出电容（Coss）：约 150 pF
　　反向恢复时间（trr）：未内置续流二极管
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（Pd）：300 W
　　栅极电荷（Qg）：约 180 nC

CM50TF-12的核心特性之一是其高电压耐受能力，标称漏源击穿电压高达1200V，使其非常适合用于高压直流母线或工业级电源系统中。这一特性确保了器件在面对电网波动或瞬态过压事件时仍能保持稳定运行，显著提升了系统的安全裕度。与此同时，该MOSFET具备相对较低的导通电阻，在Vgs=15V条件下，Rds(on)最大仅为1.05Ω，这在同类高压器件中属于较高水平，意味着在传导大电流时产生的I2R损耗较小，有助于提高电源转换效率并减少对散热系统的依赖。此外，其额定漏极电流可达50A（在25°C下），表明其具备较强的电流承载能力，适用于中高功率开关应用。
　　另一个关键优势在于其良好的热性能表现。TO-247封装具有较大的金属背板面积，有利于将芯片产生的热量迅速传导至外部散热器，从而维持结温在安全范围内。结合高达300W的最大功率耗散能力，CM50TF-12可在持续高负载条件下稳定工作。该器件还具备较快的开关速度，得益于优化的栅极结构和较低的输入/输出电容，使得其在高频PWM控制中表现出色，适用于现代高频化、小型化的电源设计趋势。此外，其栅极驱动电压范围宽泛，支持+10V至+20V之间的驱动信号，且阈值电压落在4~6V区间，可兼容多数标准驱动IC输出，简化了驱动电路设计。
　　在可靠性方面，CM50TF-12经过严格的质量控制流程制造，具备优异的抗雪崩能力和长期稳定性。它能够承受一定的单脉冲雪崩能量，增强了在异常工况下的鲁棒性。同时，器件内部采用了先进的终端技术和钝化层工艺，有效防止表面漏电和湿气侵蚀，提高了在恶劣环境下的使用寿命。其工作结温范围达到-55°C至+150°C，满足工业级甚至部分军用级应用需求。综合来看，CM50TF-12是一款兼具高压、大电流、低损耗和高可靠性的功率MOSFET，适用于对性能和稳定性有较高要求的应用场景。

CM50TF-12主要应用于各类中高功率电力电子系统中。典型用途包括工业用开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关器件，利用其高耐压和低导通电阻特性实现高效能量转换。在不间断电源（UPS）系统中，该器件常用于逆变器桥臂，承担将直流电转换为交流电的任务，其快速开关能力和高电流输出能力保障了输出波形的纯净度和动态响应速度。此外，在太阳能逆变器和风力发电控制系统中，CM50TF-12可用于DC-AC变换环节，适应可再生能源系统中常见的高压直流母线架构。
　　在电机驱动领域，该MOSFET适用于中小功率交流或直流电机的驱动模块，特别是在变频器和伺服驱动器中作为功率开关元件。其高电流承载能力和热稳定性使其能够在频繁启停和过载工况下可靠运行。电动工具、电动汽车充电装置以及感应加热设备也是其重要应用方向。在这些应用中，CM50TF-12不仅需要承受高电压应力，还需应对复杂的电磁干扰环境，而其良好的EMI抑制特性和抗噪声能力正好满足这些要求。
　　此外，CM50TF-12还可用于高压脉冲发生器、激光电源、X射线发生器等特种电源设备中，作为高速开关元件。这类应用通常要求器件具备极高的电压耐受能力和精确的开关时序控制，CM50TF-12凭借其稳定的电气参数和可靠的封装结构，能够在极端条件下长时间运行。总体而言，该器件适用于所有需要高压、大电流、高效率和高可靠性的开关电源和功率控制系统。

M50TF120G, CM50TD-12