类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IO）：5.0A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向电压降（VF）：850mV @ 5.0A, TJ=25°C
　　最大反向漏电流（IR）：400μA @ 60V, TJ=25°C
　　反向恢复时间（trr）：5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SMA (DO-214AC)
　　安装类型：表面贴装
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（<=30°C/85% RH）
　　引脚数：2

CM50MXUBP-13T1的核心特性之一是其低正向导通压降，在5A电流下典型值仅为850mV，显著降低了功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一优势来源于肖特基势垒结构，它利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而避免了少数载流子的存储效应，使得器件能够在高频条件下高效运行。
　　另一个关键特性是其超快的反向恢复时间（trr），典型值仅为5ns。这意味着该二极管在从导通状态切换到截止状态时响应极快，极大地减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适用于高频开关电源、同步整流和高速逆变器等应用场景。由于没有尾电流现象，该器件在动态性能方面优于普通快恢复二极管。
　　该器件采用SMA封装，具有较小的物理尺寸和良好的热性能，便于在紧凑型PCB布局中使用。其表面贴装设计支持自动化贴片工艺，提升了生产效率和产品一致性。此外，该封装具备较高的机械强度和良好的散热能力，有助于在大电流工作条件下维持稳定的结温。
　　CM50MXUBP-13T1具备高达150A的峰值浪涌电流承受能力，能够有效应对瞬态过流冲击，如电源启动或负载突变时产生的电流尖峰，增强了系统的可靠性和鲁棒性。同时，其反向漏电流在室温下不超过400μA，在高温环境下也保持在可接受范围内，确保了在宽温区间的稳定工作性能。
　　该器件的工作结温范围为-55°C至+125°C，支持严苛环境下的长期运行。其符合RoHS指令且不含卤素，满足现代电子产品对环保材料的要求。此外，MSL 1级评级表明其对湿气不敏感，无需特殊干燥包装或烘烤处理，简化了仓储和组装流程。

CM50MXUBP-13T1广泛应用于需要高效能、小体积和高频操作的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流与续流二极管，尤其是在DC-DC转换器中作为同步整流的辅助元件或独立整流单元。其低VF和快速响应特性使其成为笔记本电脑、路由器、机顶盒等消费类电子设备电源模块的理想选择。
　　在便携式设备和电池供电系统中，该二极管可用于防止反向电流流动，保护电池免受损坏，同时降低功耗以延长续航时间。此外，它还常用于LED驱动电路中作为防倒灌二极管，确保电流单向流动，提升系统稳定性。
　　工业控制领域中，CM50MXUBP-13T1可用于电机驱动电路的箝位保护，吸收感性负载断开时产生的反电动势，防止电压尖峰损坏主控芯片或功率器件。在通信电源系统中，该器件也承担着高频整流和电压调节的功能，保障信号链路的稳定供电。
　　由于其高浪涌电流能力和优良的热稳定性，该二极管还可用于适配器、充电器和AC-DC电源模块中，特别是在多路输出或并联整流拓扑中发挥重要作用。此外，其小型化封装非常适合空间受限的设计，如嵌入式系统和高密度板卡布局。

MBR560T1G
　　SB560-E3/5AT
　　B540C-13-F
　　SS56LBHM3/L15
　　APT5S60B