型号：CM50E3Y-12G
　　封装类型：TO-247
　　漏源电压Vds：1200V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id：50A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流Idm：150A
　　导通电阻Rds(on)：≤0.18Ω（@Vgs=15V, Id=25A）
　　阈值电压Vgs(th)：3.0~5.0V（@Id=250μA）
　　输入电容Ciss：6500pF（@Vds=25V）
　　输出电容Coss：950pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间trr：≤45ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　功耗Pd：300W（Tc=25℃）
　　热阻Rθjc：0.42℃/W

CM50E3Y-12G具备出色的电气特性和结构设计，使其在高功率应用中表现出卓越的稳定性和效率。首先，其高达1200V的漏源击穿电压确保了在高压环境中工作的安全性，特别适用于1000V以上的太阳能逆变器或工业级AC-DC转换系统。其次，该器件具有较低的导通电阻Rds(on)，典型值低于0.18Ω，在大电流条件下显著减少了导通损耗，提升了系统的整体能效。此外，CM50E3Y-12G采用了优化的沟道设计和栅极结构，实现了快速的开关速度，开关延迟时间短，关断能量小，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而提高电源系统的转换效率。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载承受能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定运行，延长了系统的使用寿命。其栅极阈值电压在3.0V至5.0V之间，兼容主流驱动IC的输出电平，便于与PWM控制器或隔离驱动芯片配合使用。输入电容和输出电容的参数经过优化，使得在高频开关应用中不会引起过大的驱动电流需求，降低了驱动电路的设计复杂度。同时，反向恢复时间较短，有助于减少体二极管在续流过程中的损耗，尤其在桥式拓扑结构中表现优异。
　　从封装角度看，TO-247封装提供了优良的散热路径，热阻Rθjc仅为0.42℃/W，意味着即使在高功率密度下也能有效将热量传导至外部散热器，防止芯片因过热而损坏。器件符合RoHS环保标准，采用无铅焊接工艺，适用于自动化贴装生产线。此外，CM50E3Y-12G通过了多项国际认证，包括UL、CE和VDE等，保证了在全球范围内的合规性和市场准入能力。综合来看，该MOSFET在高压、大电流、高频率的应用场景中展现出强大的竞争力。

CM50E3Y-12G主要应用于需要高耐压和大电流处理能力的电力电子系统中。在太阳能光伏逆变器中，它常用于DC-AC转换的主功率开关单元，能够高效地将太阳能板产生的直流电转换为交流电并入电网，其高耐压特性可适应光伏阵列的高开路电压要求。在不间断电源（UPS）系统中，该器件用于逆变器级和整流级的功率转换，提供稳定的电压输出，并在市电中断时快速切换至电池供电模式，保障关键设备持续运行。此外，在电动汽车充电桩中，CM50E3Y-12G可用于车载充电机（OBC）或直流快充模块中的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC变换器部分，实现高效的能量传输与管理。
　　工业电机驱动领域也是其重要应用场景之一，尤其是在中高压变频器中，该MOSFET作为核心开关元件参与PWM调制，精确控制电机转速与扭矩。在开关电源（SMPS）设计中，特别是LLC谐振转换器或硬开关全桥拓扑中，CM50E3Y-12G凭借其低导通损耗和快速开关特性，显著提高了电源效率并减小了散热器体积。此外，它还可用于感应加热设备、电焊机、储能系统以及高压LED驱动电源等场合。由于其具备良好的热稳定性和长期可靠性，CM50E3Y-12G也适合部署在高温工业环境或户外设备中，如风力发电变流器、轨道交通牵引系统辅助电源等。总体而言，该器件适用于所有要求高效率、高可靠性和紧凑设计的中高压功率转换系统。

IXFH50N120P3
　　STGF5NC120D
　　FGB50N120FT