型号：CM50DU-24E
　　类型：IGBT模块（单管）
　　集电极电流（Ic）：50A
　　集电极峰值电流（Icm）：100A
　　集射极击穿电压（Vces）：1200V
　　栅极阈值电压（Vge(th)）：5.0V ~ 7.0V
　　饱和导通电压（Vce(sat)）@25°C：2.1V（典型值）
　　开关频率：最高可达50kHz
　　输入电容（Cies）：约3.6nF
　　输出电容（Coes）：约1.1nF
　　反向恢复时间（trr）@二极管：约75ns
　　工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-40°C 至 +150°C
　　隔离电压（Viso）：2500VAC（1分钟）
　　封装形式：Mini DIP或类似绝缘模块封装

CM50DU-24E采用先进的沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）IGBT技术，显著降低了导通压降与开关损耗，从而提升了整体能效。该技术通过在硅片内部形成深沟槽结构，并结合场截止层优化电场分布，使得器件在高电压阻断能力的同时具备更低的通态电阻。这种设计有效减少了功率损耗，尤其在高频开关应用中表现出色。
　　该模块具有优异的热稳定性与可靠性，得益于其内部键合工艺优化和高导热陶瓷基板材料的应用，能够快速将芯片产生的热量传导至散热器，防止局部过热导致的性能下降或失效。此外，模块外壳采用高强度绝缘材料，提供高达2500VAC的电气隔离能力，确保在高压环境中安全运行。
　　CM50DU-24E具备良好的抗短路能力和过载耐受性，在规定的脉冲条件下可承受一定时间的过电流冲击，增强了系统的鲁棒性。其栅极驱动接口兼容标准逻辑电平（通常为±15V驱动），便于与各类驱动IC（如HCPL-3120、M57962等）配合使用，简化了外围电路设计。
　　该器件还具备较低的电磁干扰（EMI）特性，得益于内部布局优化和寄生参数控制，有助于满足EMC认证要求。同时，其反并联二极管具有快速恢复特性，反向恢复时间短（约75ns），软恢复行为良好，避免了反向恢复过程中产生大的电压尖峰，保护IGBT免受损坏。
　　CM50DU-24E支持并联使用，由于其正温度系数的Vce(sat)，在多管并联时能自然实现电流均衡，提高系统扩展性与冗余能力。整体而言，该模块在效率、可靠性和易用性方面均达到了工业级应用的标准，适用于多种中高功率电力电子系统。

CM50DU-24E广泛应用于各类需要高效直流到交流或交流到直流电能转换的工业与民用设备中。在工业领域，它常用于通用变频器和伺服驱动器中作为主开关元件，用于控制三相异步电机的速度与转矩，实现节能调速。在不间断电源（UPS）系统中，该模块承担DC/AC逆变功能，将电池或整流后的直流电转换为稳定的正弦波交流输出，保障关键负载的持续供电。
　　在新能源领域，CM50DU-24E可用于小型光伏逆变器中，作为核心功率开关器件，参与MPPT跟踪后的直流升压与并网逆变过程，具备高效率和高可靠性的优势。此外，在风力发电系统的部分控制电路中也可作为辅助电源或变流模块使用。
　　该模块也常见于感应加热设备，如电磁炉、金属熔炼炉和热处理装置中，利用其高频开关能力产生交变磁场，在金属工件内部感应涡流实现非接触式加热。由于其具备较高的耐压等级和电流承载能力，能够在高负载条件下稳定运行。
　　在电焊机（如逆变焊机）中，CM50DU-24E用于高频逆变环节，将整流后的直流电转换为高频交流电，再经变压器降压后整流输出稳定焊接电流，显著减小设备体积与重量，提升动态响应性能。
　　此外，该模块还可用于大功率开关电源、电动汽车充电模块、电机测试台架以及工业加热控制系统等场合，展现出广泛的适应性和工程实用性。

CM75DU-24A
　　FF50R12KS4
　　IRGP50B60PD