CM316X5R476K06AT 是一款由Chip Metal制造的多层陶瓷电容器(MLCC),具有高容量和良好的温度稳定性。该电容器采用X5R介质材料,适用于需要高稳定性和可靠性的电子电路设计。CM316X5R476K06AT的额定电容为47μF,公差为±10%,额定电压为6.3V,适合用于电源滤波、去耦和信号处理等应用场景。
电容值:47μF
公差:±10%
额定电压:6.3V
介质材料:X5R
温度范围:-55°C 至 +85°C
封装尺寸:1206(3216公制)
电容器类型:多层陶瓷电容器(MLCC)
CM316X5R476K06AT多层陶瓷电容器采用了先进的陶瓷介质材料和制造工艺,确保了其在广泛温度范围内的稳定性能。其X5R介质材料具有优异的温度稳定性,能够在-55°C至+85°C的范围内保持电容值的变化在±15%以内,适用于各种工业和消费类电子设备。
该电容器的高容量(47μF)使其非常适合用于电源滤波和去耦应用,能够有效降低电路中的噪声和纹波,提高系统的稳定性和可靠性。其紧凑的1206(3216公制)封装尺寸使其适用于高密度PCB设计,同时保持良好的焊接可靠性和机械强度。
此外,CM316X5R476K06AT具有低ESR(等效串联电阻)和低ESL(等效串联电感),有助于提高高频性能和瞬态响应能力。这些特性使其成为数字电路、DC-DC转换器、电池供电设备和其他需要高效电源管理的应用的理想选择。
CM316X5R476K06AT多层陶瓷电容器广泛应用于各种电子设备和系统中,尤其是在需要高稳定性和可靠性的场合。典型应用包括电源滤波、去耦、信号处理、DC-DC转换器、电池供电设备、工业控制系统、消费电子产品以及汽车电子系统等。
在电源滤波应用中,CM316X5R476K06AT能够有效滤除高频噪声和纹波,提供干净的电源供应,确保电路的稳定运行。在去耦应用中,该电容器可以为集成电路提供局部能量存储,减少电源阻抗,提高系统的抗干扰能力。
由于其优异的温度稳定性和高可靠性,CM316X5R476K06AT也常用于汽车电子系统,如发动机控制单元(ECU)、车载娱乐系统和安全控制系统等,满足严苛的环境要求。
GRM316X5R476K06AT, CL31A476KPQNNNE