电容值：100nF (104)
　　容差：±20% (M)
　　额定电压：25V
　　介电材料：X5R
　　封装尺寸：1210 (3225 Metric)
　　温度范围：-55°C 至 +85°C
　　绝缘电阻：10000MΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　最大纹波电流：依据应用环境不同而变化

CM316W5R104M25AT具有优异的电容稳定性，其X5R介质材料能够在较宽的温度范围内保持电容值的稳定。此外，该器件具有低ESR（等效串联电阻）和良好的高频特性，使其适用于去耦和滤波应用。其SMD封装设计支持自动化装配，同时具备良好的耐热性和机械强度，适用于高密度PCB布局。
　　该电容器的容差为±20%，适用于对电容精度要求相对宽松的场合，但其在电压和温度变化下的稳定性表现良好。此外，CM316W5R104M25AT的额定电压为25V，能够满足中等电压电路的使用需求。其较高的绝缘电阻确保了电路中的低漏电流，从而提升了整体系统的能效和可靠性。

CM316W5R104M25AT广泛应用于各类电子设备中，例如电源管理电路、DC-DC转换器、逻辑电路的去耦、信号滤波器以及模拟电路的旁路电容。由于其良好的温度稳定性和较高的额定电压，该电容器也常用于工业控制设备、通信模块、汽车电子系统和消费类电子产品中。
　　在电源设计中，该电容器可用于输入和输出滤波，以减少电压波动和噪声。此外，CM316W5R104M25AT还可用于音频放大器电路中的耦合和去耦，以提高音频信号的质量。由于其SMD封装形式，该电容器特别适用于空间有限的高密度电路板设计。

C3225X5R2E104M, GRM31CR61C106KA12L, CL21B106KAQNNNE