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CM300DU-12H 发布时间 时间:2025/9/29 18:44:23 查看 阅读:5

CM300DU-12H是一款由IXYS公司(现为Littelfuse旗下品牌)生产的高功率模块化IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和二极管混合功率模块,广泛应用于工业电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、焊接设备以及可再生能源系统等大功率电力电子场合。该模块采用先进的封装技术,具备优异的热性能和电气隔离能力,适合在高温、高电压和大电流环境下稳定运行。CM300DU-12H属于第六代IGBT技术产品,结合了低导通压降与快速开关特性,能够有效降低系统损耗并提高整体效率。模块内部集成了两个IGBT单元和两个反并联快速恢复二极管,构成半桥拓扑结构(也称作B6U配置),便于用户在三相逆变桥或其他复杂拓扑中灵活使用。其额定集电极电流在标准测试条件下可达300A,最大阻断电压为1200V,适用于600V至1000V直流母线电压系统。模块外壳采用高强度陶瓷基板绝缘设计,支持螺钉安装,具有良好的机械稳定性和长期可靠性。此外,CM300DU-12H内置NTC温度传感器,可用于实时监测模块结温,实现过热保护功能,提升系统的安全性和稳定性。

参数

型号:CM300DU-12H
  制造商:IXYS(Littelfuse)
  器件类型:IGBT模块
  拓扑结构:半桥(B6U)
  集电极电流(IC @ 25°C):300 A
  集电极电流(IC @ 80°C):200 A
  集射极击穿电压(VCEO):1200 V
  栅极阈值电压(VGE(th)):5.0 ~ 7.0 V
  饱和压降(VCE(sat) @ IC=300A, VGE=15V):约2.1 V
  二极管正向压降(VF @ IF=150A):约1.7 V
  开关频率典型值:≤20 kHz
  工作结温范围:-40 °C 至 +150 °C
  存储温度范围:-40 °C 至 +150 °C
  隔离电压(Viso):2500 VAC(rms, 1分钟)
  封装形式:第4代模块封装(MOD4)
  热阻(Rth(j-c)):约0.12 K/W(每个IGBT)
  内置NTC温度传感器:有

特性

CM300DU-12H采用了先进的沟槽栅场截止(Trench Field-Stop)IGBT工艺,这种技术显著降低了器件的导通损耗和开关损耗之间的权衡矛盾。其核心优势在于能够在保持较低VCE(sat)的同时实现快速关断,从而减少动态功耗,特别适合中高频PWM调制应用。该模块的IGBT单元具备均匀的电流分布能力和良好的并联操作特性,允许在更高功率系统中多模块并联使用以扩展输出能力。模块内部集成的快速恢复二极管具有软恢复特性,能够有效抑制反向恢复电流尖峰和电压振荡,降低电磁干扰(EMI)水平,并提高系统可靠性。二极管的反向恢复时间短且可控,配合优化的换流路径设计,有助于提升整体能效。
  该模块采用高性能陶瓷绝缘基板(通常为Al2O3或AlN),提供了卓越的热传导性能和电气隔离强度。模块底部经过精密研磨处理,确保与散热器之间接触良好,最大限度地减少热阻。其引脚和端子设计符合国际标准,支持大截面母排连接,降低外部连接电阻和电感,提升功率传输效率。CM300DU-12H还具备较强的抗浪涌能力,短时过载电流可达600A以上,满足电机启动或故障瞬态工况下的需求。此外,模块通过了严格的质量认证流程,包括UL、CSA、VDE等安规认证,适用于全球范围内的工业级应用环境。内置的NTC热敏电阻(通常阻值为10 kΩ @ 25°C,B值约为3450K)可接入控制系统进行温度反馈,实现闭环温控或故障预警机制。整个模块设计注重长期可靠性和维护便利性,是中高端工业电力变换装置中的关键组件之一。

应用

CM300DU-12H主要应用于需要高功率密度和高可靠性的工业电力电子系统。典型用途包括交流传动系统中的变频器,用于控制三相异步电机的速度与转矩,在冶金、矿山、化工、电梯等行业广泛应用。在不间断电源(UPS)系统中,该模块作为逆变级的核心开关器件,负责将直流电转换为稳定的交流输出,保障关键负载持续供电。在风力发电和太阳能光伏逆变器中,CM300DU-12H可用于DC/AC转换环节,实现清洁能源的并网输出。此外,它也常用于大功率开关电源、感应加热设备、电焊机电源以及电动汽车充电桩等场景。由于其具备较高的电压和电流等级,特别适合构建三相全桥或多电平拓扑结构,适应不同输入电压等级的电网要求。模块的半桥配置使其易于组合成完整的三相逆变桥(需三个模块),简化系统布局与驱动设计。在轨道交通辅助电源系统或小型牵引变流器中也有潜在应用价值。得益于其优良的热稳定性和抗干扰能力,CM300DU-12H可在恶劣环境条件下长期运行,如高温车间、潮湿环境或存在粉尘污染的工业现场。

替代型号

CM300DY-12H
  FF300R12KE3
  SE300GD12E

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CM300DU-12H参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3V @ 15V,300A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)300A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)26.4nF @ 10V
  • 功率 - 最大890W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块