类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：115mA（最大）
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5Ω @ VGS = 10V
　　导通阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23

CM2N7002 是一款低成本、高性能的 N 沟道 MOSFET，具有以下显著特性：
　　首先，其漏极-源极击穿电压为 60V，能够承受较高的电压应力，适用于中等电压应用。其次，该器件的导通电阻较低，在 VGS 为 10V 时 RDS(on) 为 5Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。
　　此外，CM2N7002 的导通阈值电压范围为 1V 至 2.5V，使其适用于多种逻辑电平驱动电路，如 3.3V 或 5V 微控制器输出直接控制。同时，其封装为 SOT-23，体积小巧，适合高密度 PCB 布局。
　　该 MOSFET 具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适合在工业控制、消费电子和通信设备中使用。CM2N7002 的开关速度快，适合用于 PWM 控制、LED 驱动、继电器驱动等高频应用。
　　另外，CM2N7002 的可靠性较高，符合 RoHS 标准，适用于环保电子产品设计。

CM2N7002 常用于以下应用场景：
　　在数字电路中，用于逻辑电平转换，例如将微控制器的 3.3V 信号转换为 5V 信号驱动外围设备。
　　在电源管理电路中，作为低边开关用于控制负载的通断，如 LED 灯、小型继电器或风扇等。
　　在通信设备中，用于信号切换和缓冲电路，提高信号传输的稳定性和效率。
　　在嵌入式系统中，用于驱动 MOSFET 栅极或其他高阻抗负载，作为缓冲器或驱动器使用。
　　在工业自动化和控制系统中，CM2N7002 可用于传感器信号处理、电机控制和开关电源中的辅助开关元件。

2N7002, 2N7002K, FDV301N, BSS138