电容值：4.7μF
　　容差：±10%
　　额定电压：10V
　　温度特性：X6S（工作温度范围-55°C至+105°C）
　　封装尺寸：1206（3.2mm x 1.6mm）
　　介质材料：陶瓷
　　工作温度范围：-55°C至+105°C

CM21X6S475K10AT 采用X6S类陶瓷介质，具有良好的温度稳定性，在-55°C至+105°C的温度范围内，电容值的变化率控制在±22%以内。该电容器具有较高的体积效率，能够在较小的封装尺寸内提供较大的电容值。其低ESR（等效串联电阻）和低ESL（等效串联电感）特性使其适用于高频去耦和电源滤波电路。此外，该器件具有良好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动贴片工艺和回流焊制程。
　　CM21X6S475K10AT 的容差为±10%，意味着其实际电容值可以在标称值的90%至110%之间变化，适用于对电容精度有一定要求的应用场合。该电容器的额定电压为10V，适用于低压电源系统中的滤波和储能应用。此外，该器件具有良好的长期稳定性，能够在长时间工作条件下保持电性能的稳定。
　　由于其陶瓷介质的非极性特性，CM21X6S475K10AT 可以在交流和直流电路中使用，且不会因极性接反而损坏。该电容器还具有较低的漏电流，适用于高阻抗电路和精密模拟电路中的去耦应用。

CM21X6S475K10AT 多层陶瓷电容器广泛应用于各类电子设备中，包括消费类电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子系统。在电源管理系统中，该电容器可用于输入/输出滤波、去耦和储能，确保电源电压的稳定性和减少高频噪声。在数字电路中，CM21X6S475K10AT 可用于IC电源引脚的去耦，降低高频干扰对系统性能的影响。
　　该电容器也适用于射频（RF）电路中的滤波和匹配网络，其低ESR和低ESL特性有助于提高电路的高频响应性能。在汽车电子系统中，CM21X6S475K10AT 可用于ECU（电子控制单元）、传感器模块和车载通信设备中的电源滤波和信号处理电路。
　　此外，该电容器还可用于LED驱动电路、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及各种便携式电子设备的电源管理模块。由于其高可靠性和良好的温度特性，CM21X6S475K10AT 也适用于对稳定性要求较高的工业自动化设备和测试测量仪器。

GRM21BR60J475KE19L（村田）、CL21B475KBQNNNE（三星）、C2012X6S1C475K060AA（TDK）