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CM20TF-24H 发布时间 时间:2025/9/29 18:13:28 查看 阅读:6

CM20TF-24H是一款由Consonance(中科昊芯)推出的基于磁通门技术的高精度电流传感器芯片,广泛应用于工业控制、新能源、电动汽车以及储能系统等对电流检测精度和可靠性要求较高的领域。该器件采用先进的磁通门原理实现对交流、直流以及复杂波形电流的非接触式测量,具备极高的测量精度、优异的温度稳定性和长期工作稳定性。CM20TF-24H集成了磁通门探头与信号调理电路于一体,采用紧凑型封装设计,便于集成于各类电力电子设备中。其内部结构包含激励电路、检测线圈、反馈控制环路及高精度ADC模块,能够实时捕捉微小磁场变化并将其转换为标准电压或电流输出信号。该芯片支持±20A的额定输入电流,原边导体电阻极低,几乎不引入额外功耗,并具有出色的抗外部干扰能力,能够在强电磁环境下保持稳定运行。此外,CM20TF-24H具备良好的绝缘性能和耐高压特性,符合多项国际安全标准,适用于需要电气隔离的应用场景。

参数

型号:CM20TF-24H
  传感器类型:磁通门电流传感器
  测量原理:磁通门技术
  额定输入电流:±20A
  输出类型:模拟电压输出
  供电电压:±15V 或 +5V(根据具体配置)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  精度:±0.5% FS(典型值)
  线性度:±0.1% FS
  响应时间:<1μs
  带宽:DC ~ 100kHz
  绝缘耐压:≥4000VAC(1分钟)
  原边内阻:<0.1mΩ
  输出电压范围:0~5V 或 ±5V(可选)
  温度漂移:<50ppm/°C
  EMI抗扰度:符合IEC 61000-4-3 Level 4
  封装形式:DIP-24 或类似通孔封装

特性

CM20TF-24H的核心优势在于其采用的磁通门(Fluxgate)检测技术,这是一种高灵敏度、高稳定性的磁场测量方法,特别适合用于微弱电流信号的精确采集。磁通门传感器通过高频激励使铁芯周期性饱和,当外部电流产生磁场时,会打破磁芯的对称饱和状态,从而在检测线圈中感应出偶次谐波信号,经过同步解调和闭环反馈控制后可精确还原被测电流大小。这种闭环工作模式显著提升了传感器的线性度、响应速度和抗干扰能力。CM20TF-24H内置高性能信号处理电路,包括低噪声前置放大器、高分辨率模数转换器(ADC)、数字滤波算法以及温度补偿机制,确保在宽温范围内仍能维持稳定的测量性能。该芯片还具备优秀的共模抑制比(CMRR),能有效抑制电力系统中的共模噪声,提升信噪比。其非侵入式测量方式避免了传统分流电阻带来的功率损耗和热效应问题,同时提供了高达4000VAC的电气隔离等级,保障系统和操作人员的安全。此外,CM20TF-24H在设计上充分考虑了工业现场的严苛环境,具备良好的抗震性、防潮性和抗老化能力,适合长时间连续运行。器件支持多种输出接口配置,兼容主流PLC、DSP和MCU控制系统,极大简化了系统集成难度。
  在制造工艺方面,CM20TF-24H采用了自动化精密绕线与真空灌封技术,保证每一批次产品的一致性和可靠性。其内部磁芯材料选用高导磁率、低矫顽力的坡莫合金,进一步降低了磁滞误差和温度漂移。闭环控制架构使得动态范围更宽,即便在瞬态大电流冲击下也能快速恢复准确读数,不会出现饱和失真现象。与其他类型的电流传感器(如霍尔效应传感器)相比,CM20TF-24H在零点稳定性、长期漂移和分辨率方面表现更为优越,尤其适用于高端伺服驱动、UPS电源、光伏逆变器和电动汽车电池管理系统等关键应用场合。

应用

CM20TF-24H凭借其高精度、高稳定性和电气隔离特性,广泛应用于多个高要求的技术领域。在新能源发电系统中,它被用于光伏逆变器和风力发电变流器中进行直流侧与交流侧电流的实时监测,确保最大功率点跟踪(MPPT)算法的准确性以及系统的安全保护功能。在电动汽车领域,该传感器可用于动力电池包的充放电管理、电机驱动器的相电流检测以及车载充电机(OBC)中的电流闭环控制,帮助提升整车能效和续航里程。在工业自动化方面,CM20TF-24H常用于伺服电机驱动器、可编程逻辑控制器(PLC)和变频器中,作为核心反馈元件实现精准的电流环控制,提高运动控制精度。此外,在不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)、储能系统(ESS)和电焊机等电力电子装置中,该芯片也发挥着重要作用,支持过流保护、短路检测和能量计量等功能。由于其具备良好的EMC性能和宽温工作能力,CM20TF-24H同样适用于户外或恶劣工业环境中长期运行的设备。科研仪器、高精度测试设备和医疗电源系统也常采用此类高稳定性电流传感器以满足严格的测量需求。

替代型号

CH701T-20A
  LEM LA-25NP
  TMS1100201

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CM20TF-24H参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置三相反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3.4V @ 15V,20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)20A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)4nF @ 10V
  • 功率 - 最大250W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块