供电电压范围：12V 至 30V
　　输出驱动电流：±1.5A（峰值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输入逻辑兼容性：3.3V/5V/15V
　　输出电压范围：-5V 至 +30V
　　传播延迟：典型值 100ns
　　上升/下降时间：典型值 30ns（1nF 负载）
　　隔离电压：2500VRMS（HBM Class 4）
　　封装形式：16 引脚 SOIC

CM2010-02MR 具备多项高性能特性，适合在苛刻环境中使用。
　　首先，该芯片内置高边和低边驱动器，支持半桥拓扑结构，并可提供高达 ±1.5A 的峰值输出电流，确保对功率 MOSFET 或 IGBT 的快速和稳定驱动。
　　其次，CM2010-02MR 支持宽输入电压范围（12V 至 30V），适应不同电源配置，同时其输出电压范围可达 -5V 至 +30V，支持负压关断以增强系统可靠性。
　　此外，该芯片具备低传播延迟（典型值 100ns）和快速上升/下降时间（典型值 30ns），有助于提高开关效率并减少开关损耗。
　　CM2010-02MR 还集成了欠压锁定（UVLO）保护功能，当电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，防止功率器件误动作。
　　其封装形式为 16 引脚 SOIC，具有良好的热管理和电气隔离能力，适用于高振动和高温应用场景。
　　最后，该器件符合 AEC-Q100 汽车级标准，适用于汽车电子系统中，如车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器和电机控制器。

CM2010-02MR 主要应用于高可靠性、高工作温度环境下的功率电子系统。
　　例如，在电动汽车领域，CM2010-02MR 可用于驱动主逆变器中的 SiC 或 GaN 功率器件，提高能效并减少散热设计的复杂性。
　　在工业自动化中，该芯片可应用于伺服电机驱动器和变频器，确保在高温和电磁干扰环境下稳定运行。
　　此外，CM2010-02MR 也适用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
　　由于其高可靠性和宽温度适应性，该芯片也常用于航空航天和军工领域的电源系统设计中。

UCC27532DRJ、LM5106MMX、IRS2104S