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CM200DY-34A 发布时间 时间:2025/9/29 16:17:04 查看 阅读:8

CM200DY-34A是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高功率工业用IGBT模块,广泛应用于大功率变频器、逆变电源、交流驱动系统以及工业电机控制等领域。该模块采用第四代IGBT芯片技术,具备低导通压降和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。CM200DY-34A属于双单元结构(Dual Module),内部集成了两个独立的IGBT单元,每个单元包含一个IGBT和一个反并联的快速恢复二极管,适用于三相桥式电路中的上下桥臂配置。模块采用先进的封装技术,具备良好的热稳定性和机械强度,能够在高温、高湿及强振动等恶劣工业环境下可靠运行。其绝缘性能优异,额定绝缘电压可达2500Vrms以上,确保了设备操作的安全性。此外,该模块还内置了NTC温度传感器,便于实现过热保护和温度监控功能,提高系统的安全性和可靠性。

参数

型号:CM200DY-34A
  类型:IGBT模块(双单元)
  集电极电流(Ic):200A
  集电极峰值电流(Icp):400A
  集射极击穿电压(Vces):1200V
  栅极电压范围(Vge):-10V 至 +20V
  饱和导通电压(Vce(sat) @ Ic=200A, Vge=15V):约2.1V
  二极管正向压降(Vf):约1.7V
  工作结温范围(Tj):-40°C 至 +125°C
  存储温度范围(Tstg):-40°C 至 +125°C
  热阻(Rth(j-c)):0.15°C/W(典型值)
  隔离电压:2500Vrms / 1分钟
  封装形式:第二代平板型(Press-Pack Compatible)
  安装方式:螺栓固定或压接式安装

特性

CM200DY-34A模块采用了富士第四代IGBT芯片工艺,显著优化了载流子寿命控制技术和元胞结构设计,从而实现了更低的导通损耗与开关损耗之间的平衡。在标准工作条件下,其饱和导通电压Vce(sat)仅为2.1V左右,这不仅降低了导通期间的能量损耗,也减少了散热系统的负担,有助于缩小整机体积。同时,该模块具备出色的开关速度,关断时间(toff)通常在1.5μs以内,配合合适的驱动电路可进一步降低动态损耗,提升整体能效。
  该模块内部为双单元配置,每个单元均可独立使用,非常适合构建三相逆变桥的半桥结构,简化了主电路布局并提高了装配灵活性。模块采用陶瓷基板与铝线键合工艺,具有良好的电气绝缘能力和抗热疲劳性能,在频繁启停或负载波动的应用中表现出色。其外部端子设计符合国际标准,便于与母排连接,减少寄生电感,抑制电压尖峰,提升系统EMI性能。
  CM200DY-34A具备高短路耐受能力,可在10μs内承受高达4倍额定电流的短路电流,增强了系统在异常工况下的鲁棒性。内置的NTC热敏电阻(通常阻值为10kΩ @ 25°C)可实时监测模块内部温度,实现精确的温度反馈和保护逻辑。模块支持压接式安装,避免了传统焊接带来的热应力问题,特别适合于高可靠性要求的轨道交通、风力发电等应用场合。

应用

CM200DY-34A因其高功率密度、高可靠性和优异的热性能,被广泛应用于多种工业电力电子系统中。最常见的用途是作为中高端变频器的核心功率器件,用于控制交流电动机的速度与转矩,广泛服务于冶金、化工、矿山等重工业领域。
  在新能源领域,该模块可用于风力发电系统的并网逆变器中,承担直流到交流的电能转换任务,其高耐压和大电流能力能够满足直驱或半直驱风机变流器的需求。此外,在太阳能光伏电站的集中式逆变器中,CM200DY-34A也可作为关键开关元件,实现高效的能量转换。
  在电焊机、感应加热和UPS不间断电源等大功率电源设备中,该模块凭借其稳定的开关特性和良好的热循环能力,能够保障长时间满负荷运行的稳定性。同时,由于其支持压接安装和高绝缘等级,也被部分应用于轨道交通牵引系统和电动汽车充电站的DC-AC变换环节,展现出较强的通用性和适应性。

替代型号

2MBI200U4B-120
  F4-200R12KS4
  SEMIX200GB126Ds

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CM200DY-34A参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.8V @ 15V,200A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)49.4nF @ 10V
  • 功率 - 最大1980W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 配用BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT