CM200DY-12H 时间：2025/9/29 21:21:44 阅读：8

CM200DY-12H是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高功率工业用IGBT模块，广泛应用于大功率变频器、逆变器、不间断电源（UPS）、伺服驱动系统以及工业电机控制等场合。该模块属于富士第二代IGBT技术平台，具有低导通压降、快速开关特性以及良好的热稳定性。CM200DY-12H采用双单元（Dual Module）结构设计，内部集成了两个独立的IGBT芯片和对应的反并联快速恢复二极管（FWD），构成一个半桥拓扑结构，适用于三相逆变器中的一个桥臂或其他需要半桥配置的应用场景。模块封装形式为第五代2单元型（Type 5），具备优良的绝缘性能和散热能力，可以直接安装在散热器上使用，适合在恶劣工业环境下长期稳定运行。该器件额定电压为1200V，最大集电极电流可达200A，在正常工作条件下可承受高达150℃的结温，表现出优异的过载与短路耐受能力。

参数

型号：CM200DY-12H
　　制造商：富士电机（Fuji Electric）
　　器件类型：IGBT模块（双单元，半桥）
　　集电极-发射极额定电压（Vces）：1200V
　　集电极连续电流（Ic）：200A（Tc=80°C）
　　峰值集电极电流（Icm）：400A
　　栅极-发射极电压范围（Vge）：-20V ~ +20V
　　最大结温（Tj）：150℃
　　饱和导通电压（Vce(sat) @ Ic=200A, Vge=15V）：约2.0V
　　开关频率典型应用：≤20kHz
　　内置二极管反向恢复时间（trr）：≤1.0μs
　　隔离电压（Visol）：2500VAC/分钟
　　封装类型：第五代2单元模块（Type 5）
　　安装方式：螺栓型安装，底部散热

特性

CM200DY-12H具备出色的动态与静态电气性能，其核心优势在于采用了富士先进的沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）IGBT工艺技术，显著降低了导通损耗和开关损耗之间的折衷矛盾，使得该模块在高频开关应用中仍能保持较高的能效水平。IGBT芯片经过优化设计，具有均匀的电流分布特性和良好的热稳定性，有效避免了局部热点导致的早期失效问题。模块内部集成的快速恢复二极管具有软恢复特性，能够大幅降低换流过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的整体可靠性。
　　该模块采用陶瓷基板（Al2O3）和铜底板结构，具有优异的热传导能力和机械强度，确保在高功率密度工况下长期可靠运行。同时，模块具备高绝缘耐压能力，满足工业设备对电气安全的严格要求。内部连接采用铝线键合技术，经过多重老化筛选和质量控制流程，保证产品的一致性与耐用性。此外，CM200DY-12H支持直接水冷或风冷散热方式，适应多种冷却环境，提升了系统设计的灵活性。
　　模块还具备较强的短路耐受能力，通常可在10μs内承受额定电流两倍以上的短路电流而不损坏，配合外部驱动保护电路可实现完善的过流、过温、欠压锁定等保护功能。其引脚布局合理，便于主端子和驱动端子的分离布线，减少干扰。整体设计符合RoHS环保标准，并通过多项国际认证，适用于全球范围内的工业电力电子设备制造。

应用

CM200DY-12H广泛应用于各类中高功率电力电子变换装置中。在工业变频驱动领域，它常用于三相交流电机的调速控制系统，作为逆变桥的核心开关元件，实现精确的矢量控制或V/f控制策略。在不间断电源（UPS）系统中，该模块可用于DC/AC逆变级，将蓄电池直流电高效转换为纯净正弦波交流电，保障关键负载的持续供电。
　　此外，该器件也适用于焊接电源、感应加热设备、太阳能并网逆变器、风力发电变流器以及电动汽车充电桩等新能源和工业电源领域。由于其高电压等级和大电流承载能力，特别适合构建380V至690V交流输入的中等功率等级系统（如55kW~160kW）。在伺服驱动器和数控机床中，CM200DY-12H能够提供快速响应和高精度的电流控制能力，满足高性能运动控制需求。
　　得益于其模块化封装和高集成度特点，使用CM200DY-12H可以简化系统结构，减少外围元件数量，提高整机可靠性。同时，其成熟的配套驱动方案和丰富的应用案例使其成为工程师在开发大功率逆变系统时的优选器件之一。