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CM200DU-34KA 发布时间 时间:2025/12/28 3:41:19 查看 阅读:9

CM200DU-34KA是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高功率IGBT模块,广泛应用于工业驱动和电力控制设备中。该模块属于富士Electric的200A/3.3kV IGBT系列,采用第六代IGBT芯片技术,具备优异的开关性能和导通特性。CM200DU-34KA采用双单元(Dual Module)结构,内部集成了两个独立的IGBT单元,每个单元包含一个IGBT芯片和一个反并联快速恢复二极管,适用于三相逆变器中的半桥或全桥拓扑结构。该模块具有低饱和压降、高电流密度、良好的热稳定性和抗短路能力强等特点,适合在高温、高电压和大电流环境下长期运行。其封装形式为标准的平板式(Press-Pack Compatible)设计,便于安装于散热器上,适用于风冷或水冷系统,广泛用于中高压变频器、电焊机、UPS电源、风力发电变流器及轨道交通牵引系统等高端工业领域。
  CM200DU-34KA的命名规则中,'CM'代表富士的IGBT模块系列,'200'表示额定电流为200A,'D'表示双单元结构,'U'代表第六代U型沟槽栅IGBT芯片,'34'表示额定电压为3300V等级,'K'为封装类型标识,'A'为版本或改进型号。该模块具备良好的互换性和兼容性,常作为升级替代早期型号的优选产品。此外,模块内置NTC温度传感器,可用于实时监测结温,提升系统的安全性和可靠性。

参数

型号:CM200DU-34KA
  制造商:富士电机(Fuji Electric)
  器件类型:IGBT模块
  额定电流:200A(Tc=85°C)
  额定电压:3300V(VCES)
  模块结构:双单元(Dual IGBT+Diode)
  IGBT技术:第六代U型沟槽栅
  饱和压降(VCE(sat)):典型值2.1V(IC=200A, VGE=15V)
  二极管正向压降(VF):典型值2.4V(IF=200A)
  开关频率:最高可达10kHz(取决于应用条件)
  工作结温范围:-40°C 至 +125°C
  存储温度范围:-40°C 至 +125°C
  绝缘电压:2500VAC/min
  热阻(Rth(j-c)):0.15°C/W(每单元)
  封装形式:平板式(Press-Pack Compatible)
  安装方式:螺栓固定,带绝缘垫片
  内置NTC:有(10kΩ @ 25°C)

特性

CM200DU-34KA采用富士电机第六代U型沟道IGBT芯片技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,提升了整体效率。其U型沟槽结构优化了载流子分布,增强了电流驱动能力,同时减少了尾电流,从而降低了关断损耗。该模块在200A额定电流下实现了低至2.1V的饱和压降,确保在高负载条件下仍能保持较低的温升和较高的能效。模块内部集成的快速恢复二极管具有软恢复特性,有效抑制了反向恢复过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提高了系统稳定性。
  该模块具备出色的抗短路能力,可在10μs内承受高达4倍额定电流的短路电流,配合外部驱动保护电路可实现可靠的过流保护。其平板式封装设计不仅提高了机械强度和热循环寿命,还支持直接水冷或风冷散热,适用于紧凑型高功率密度系统。模块的电气端子布局合理,减少了寄生电感,有利于高频开关操作下的电压均衡。此外,内置的NTC热敏电阻可实时反馈模块温度,便于实现温度闭环控制和过热保护,进一步提升系统安全性。
  CM200DU-34KA通过了严格的工业级认证,符合RoHS和REACH环保要求,适用于恶劣工业环境。其高绝缘电压(2500VAC)确保了在高海拔和潮湿环境下的运行安全。模块的长期可靠性经过加速老化测试验证,在额定工况下可保证超过10万小时的使用寿命。其双单元结构设计简化了逆变器桥臂的组装,减少了外部连接线,提高了系统集成度和可靠性。

应用

CM200DU-34KA广泛应用于中高压电力电子变换系统,尤其适用于需要高可靠性和高效率的工业设备。在中压变频器中,该模块常用于驱动大功率异步电机或同步电机,如矿山提升机、轧钢机、大型风机和水泵等,其3300V耐压等级和200A电流能力可满足6kV以下电机驱动需求。在风力发电系统中,CM200DU-34KA被用于双馈或全功率变流器的网侧和机侧逆变单元,实现高效的能量转换和电网并网控制。
  在轨道交通领域,该模块可用于地铁、轻轨或电力机车的牵引逆变器,提供稳定的动力输出和再生制动功能。其高抗扰能力和宽温区工作特性使其适应列车运行中的振动、温差和电磁干扰环境。在不间断电源(UPS)系统中,CM200DU-34KA作为主逆变模块,支持大容量在线式UPS的高效运行,保障数据中心、医院和通信基站等关键设施的电力供应。
  此外,该模块还适用于大功率电焊机、感应加热电源、静止无功补偿装置(SVC/SVG)以及高压直流输电(HVDC)中的辅助变流器等场合。其高功率密度和模块化设计便于系统扩展和维护,是中高压工业电力电子系统的理想选择。

替代型号

2MBI200U4B-120
  SEMiX200GB176E
  FF200R33KF4

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CM200DU-34KA参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)4V @ 15V,200A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)29nF @ 10V
  • 功率 - 最大1100W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块