型号：CM200DK-24H
　　制造商：Fuji Electric
　　器件类型：IGBT模块
　　拓扑结构：双管单元（Dual）
　　额定电压（VCES）：1200V
　　额定电流（IC）@25°C：200A
　　最大结温（Tj）：150°C
　　开关频率典型值：≤20kHz
　　饱和压降（VCE(sat)）@IC=200A, VGE=15V：约1.7V
　　二极管正向压降（VF）@IF=100A：约1.6V
　　热阻（Rth(j-c)）：0.15°C/W（每单元）
　　隔离电压：2500VAC/min
　　封装类型：第五代平板式（Flat Base）
　　安装方式：螺栓固定
　　内置NTC：有（10kΩ @25°C）

CM200DK-24H采用了富士第七代IGBT芯片技术，显著优化了载流子分布与电场调控机制，在保证高耐压能力的同时大幅降低了导通损耗和开关损耗。这一代芯片通过改进沟槽栅结构和背面减薄工艺，提升了单位面积的电流密度，使得模块在高负载条件下依然能够维持较低的工作温升，从而提高系统的整体效率。其先进的场截止（Field-Stop）结构有效抑制了尾电流效应，缩短了关断时间，增强了动态响应能力，并减少了电磁干扰（EMI）的产生。
　　该模块内部的两个IGBT单元之间具有高度对称的电气特性，确保在桥式电路中工作时各支路电流均衡，避免因失配导致局部过热问题。反并联二极管采用高速软恢复设计，具备低反向恢复电荷（Qrr）和温和的恢复特性，有助于降低换流过程中的电压尖峰，减少对驱动电路的压力。此外，模块外壳采用高强度陶瓷基板和高纯度铝键合线连接技术，不仅增强了抗热循环疲劳能力，还能在频繁启停或突变负载下保持长期可靠性。
　　第五代平板式封装摒弃了传统焊接引脚和底板绝缘层，允许模块通过压力接触方式直接安装到水冷或风冷散热器上，极大提升了热传导效率并简化了维护流程。这种设计特别适用于需要模块可更换或免焊接安装的高端工业应用。同时，集成的NTC热敏电阻位于靠近IGBT芯片的区域，能实时反映核心温度变化，为控制系统提供精准的过温预警信号，防止热失控事故的发生。整体而言，CM200DK-24H在性能、可靠性和维护性方面均达到了现代工业电力电子系统的高标准要求。

CM200DK-24H因其高功率密度、优异的热管理和可靠的电气性能，被广泛应用于多种工业级电力变换系统中。最常见的用途是在中大功率通用变频器中作为主逆变桥的核心开关元件，用于控制交流电机的速度与转矩，适用于风机、水泵、压缩机、传送带等工业自动化设备。此外，它也常用于大容量不间断电源（UPS）系统中，承担DC/AC逆变功能，在市电中断时迅速切换至电池供电模式，保障关键负载持续运行。
　　在新能源领域，该模块可用于光伏并网逆变器的直流侧斩波或主逆变环节，尤其是在集中式或组串式大型太阳能电站中，配合MPPT算法实现高效能量转换。由于其具备较强的抗浪涌能力和宽温区稳定性，也能胜任电焊机电源的设计需求，支持高频逆变弧焊工艺，提升焊接质量与能效表现。在轨道交通和电动汽车充电桩等基础设施中，CM200DK-24H可作为整流或逆变单元的一部分，参与能量双向流动控制，满足严苛的安全与寿命标准。
　　此外，该模块还可应用于感应加热装置、大功率直流电源、有源滤波器（APF）及静态无功补偿装置（SVC）等电力电子补偿设备中，帮助改善电网电能质量。凭借其坚固的机械结构和出色的环境适应性，CM200DK-24H能够在高温、高湿、粉尘较多的恶劣工业环境中长期稳定运行，是许多高端工业设备制造商首选的功率模块解决方案之一。

2MBI200U4B-120: Fuji Electric
　　FF200R12KS4: Infineon
　　CM200DY-24S: Fuji Electric
　　SEMIX200GB126HDs: Semikron