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CM150TU-12F 发布时间 时间:2025/9/29 18:21:00 查看 阅读:14

CM150TU-12F是一款由日本富士电机(Fuji Electric)生产的功率模块,属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块系列。该模块广泛应用于工业电力电子设备中,如变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)、电焊机以及各种需要高效能功率转换的场合。CM150TU-12F采用第六代IGBT芯片技术,具有低导通压降和优化的开关特性,能够在高频率下实现较高的效率。该模块为单管(Single IGBT)结构,内置一个IGBT芯片和一个反并联快速恢复二极管(FRD),适用于斩波电路或半桥拓扑中的开关元件。其封装形式为标准2代增强型,具备良好的热稳定性和机械强度,便于安装于散热器上以实现有效散热。模块外壳绝缘性能良好,可承受较高的隔离电压,确保系统安全运行。此外,CM150TU-12F设计符合国际安全标准,适合在恶劣工业环境下长期稳定工作。

参数

型号:CM150TU-12F
  制造商:Fuji Electric
  器件类型:IGBT模块(单管)
  集电极电流(Ic):150A
  集电极-发射极击穿电压(Vces):1200V
  栅极-发射极电压(Vge):±20V
  工作结温范围(Tj):-40℃ 至 +150℃
  最大功耗(Ptot):300W
  导通电阻(典型值):依据测试条件而定
  开关频率:可达数十kHz
  封装类型:2代增强型模块封装
  安装方式:螺钉式固定
  绝缘耐压:2500VAC/min

特性

CM150TU-12F采用了富士电机先进的第六代IGBT芯片工艺,显著降低了导通损耗与开关损耗之间的折衷矛盾,从而提升了整体能效。该模块在150A额定电流下仍能保持较低的饱和压降(Vce(sat)),这有助于减少导通期间的能量损失,提高系统效率,尤其是在中等负载条件下表现优异。其内部集成的快速恢复二极管具有软恢复特性,能够有效抑制反向恢复过程中产生的电压尖峰,降低电磁干扰(EMI),提升系统的可靠性。
  该模块具备优良的热循环能力和抗疲劳性能,得益于优化的内部键合结构与材料选择,能够在频繁启停或温度剧烈变化的应用环境中保持长期稳定性。其陶瓷基板采用高性能氧化铝材料,不仅具备良好的导热性,还提供了优异的电气绝缘能力。整个模块经过严格的密封处理,防止湿气和污染物侵入,增强了在潮湿或多尘环境下的耐用性。
  CM150TU-12F的设计充分考虑了实际应用中的布局便利性和维护需求。其端子排列合理,便于母线连接,并支持并联使用以扩展电流容量。同时,模块支持直接涂覆导热硅脂或使用绝缘垫片进行散热管理,灵活适应不同冷却方案。此外,该器件可通过温度传感器监测结温,实现过热保护功能,进一步保障系统安全。
  由于其高可靠性和成熟的技术平台,CM150TU-12F被广泛用于各类工业控制设备中,特别是在对体积、效率和寿命有较高要求的变频驱动系统中表现出色。它支持宽范围的栅极驱动电压输入,兼容主流驱动电路设计,简化了外围驱动电路的设计难度。整体而言,这款IGBT模块是工业级功率变换应用中的理想选择之一。

应用

CM150TU-12F主要应用于中等功率等级的电力电子变换装置中。典型用途包括通用交流变频器,用于调节电动机转速,实现节能控制,在风机、水泵、传送带等工业设备中广泛应用。此外,该模块也常用于伺服驱动系统中,作为主逆变桥臂的一部分,提供精确的电流控制能力,满足高动态响应的需求。
  在不间断电源(UPS)系统中,CM150TU-12F可用于DC/AC逆变环节,将蓄电池直流电转换为纯净的正弦交流电输出,保证关键负载的持续供电。由于其具备较高的开关频率能力和良好的效率表现,有助于减小滤波器体积,提升UPS整体功率密度。
  该模块还可用于电焊机电源,尤其是逆变式弧焊机中,通过高频斩波实现稳定的焊接电流输出,提升焊接质量与效率。同时,在感应加热、电磁炉、充电桩等需要大功率DC/AC或DC/DC转换的场合也有应用潜力。
  由于其1200V电压等级和150A电流能力,CM150TU-12F适用于输入电压为380V~690V AC的三相系统整流后母线电压范围内的应用场景。结合适当的驱动与保护电路,可构建出稳定可靠的功率转换核心,满足多种工业自动化与能源转换需求。

替代型号

2MBI150U4B-120
  FF150R12KS4
  SG75N60UFD

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CM150TU-12F参数

  • 标准包装1
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型沟道
  • 配置三相反相器
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.2V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)41nF @ 10V
  • 功率 - 最大520W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块