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CM150E3U-12H 发布时间 时间:2025/9/29 19:04:00 查看 阅读:17

CM150E3U-12H是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高功率IGBT模块,广泛应用于工业电力电子设备中。该模块属于富士Electric的7代IGBT技术平台,具有低功耗、高可靠性和优良的热性能特点。CM150E3U-12H采用三相全桥拓扑结构,内部集成了两个IGBT芯片和对应的反并联二极管,构成半桥模块配置,额定电流为150A,额定电压为1200V,适用于高效率变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及工业电机控制系统等场合。该模块采用了先进的焊接技术和绝缘基板设计,提升了散热性能和长期运行稳定性。其封装形式为标准的EasyPIM或类似紧凑型模块封装,便于安装于散热器上,并支持螺丝端子连接主电路,具备良好的机械强度和电气绝缘能力。此外,CM150E3U-12H内置NTC温度传感器,可用于实时监测模块结温,实现过热保护功能,提高系统安全性。该器件符合RoHS环保要求,工作温度范围宽,可在-40°C至+125°C的结温范围内稳定工作,适合严苛工业环境下的应用需求。

参数

型号:CM150E3U-12H
  制造商:Fuji Electric
  器件类型:IGBT模块(半桥)
  最大集射极电压 VCES:1200V
  额定集电极电流 IC (TC=80°C):150A
  最大结温 TJ:125°C
  开关频率典型值:≤20kHz
  导通饱和电压 VCE(sat) @ IC=150A, VGE=15V:约2.1V
  二极管正向压降 VF @ IF=150A:约1.7V
  热阻 Rth(j-c):0.25 K/W(典型)
  隔离电压:2500Vrms/分钟
  封装形式:紧凑型模块(带螺丝端子)
  内置NTC温度传感器:有

特性

CM150E3U-12H基于富士电机第七代IGBT芯片技术,采用了优化的沟槽栅结构和场截止层设计,显著降低了导通损耗与开关损耗之间的折衷矛盾,从而在保持高耐压能力的同时实现了更低的VCE(sat)和更优的开关性能。该模块在150A额定电流下,VCE(sat)典型值仅为2.1V左右,有效减少了导通期间的能量损耗,提高了系统的整体能效。其开关特性经过精细调校,在典型应用条件下可支持高达20kHz的开关频率,适用于中高频PWM控制场景,如高性能变频器和伺服系统。模块内部集成的快速恢复二极管具有低反向恢复电荷Qrr和软恢复特性,能够减少换流过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升系统可靠性。
  在热管理方面,CM150E3U-12H采用高导热陶瓷基板(如Al2O3或AlN)与铜底板结合的结构,确保热量高效传导至外部散热器,热阻Rth(j-c)低至0.25K/W,增强了模块在持续高负载工况下的散热能力。其机械结构设计坚固,主端子采用螺栓压接方式,接触电阻小且连接可靠,适用于大电流传输。模块具备优异的抗热循环和功率循环能力,能够在频繁启停和负载波动的环境中长期稳定运行。此外,内置的NTC热敏电阻位于IGBT芯片附近,可准确反映结温变化,便于控制器实施动态降额或过温保护策略,防止热失控。
  CM150E3U-12H还通过了严格的安全认证,满足国际绝缘标准(如IEC 60747),提供2500Vrms的电气隔离电压,保障操作人员安全。其材料选择和制造工艺符合无铅和RoHS指令要求,适应现代绿色制造趋势。模块引脚布局合理,便于PCB布线和驱动电路匹配,配合专用驱动IC可实现快速、稳定的门极驱动。总体而言,CM150E3U-12H是一款高性能、高可靠性的功率模块,适用于对效率、体积和寿命均有较高要求的工业电力变换系统。

应用

CM150E3U-12H主要应用于各类中高功率交流变频驱动系统,如工业通用变频器、风机水泵调速控制柜、压缩机驱动装置等,在这些系统中用于实现直流到交流的逆变转换,调节电机转速以达到节能目的。同时,该模块也广泛用于精密运动控制领域,例如数控机床、机器人伺服驱动器中,凭借其快速响应能力和稳定的输出波形质量,保障伺服系统的动态精度和平稳运行。在可再生能源系统中,CM150E3U-12H可用于光伏并网逆变器的DC-AC转换级,将太阳能电池板产生的直流电高效转换为符合电网标准的交流电,其低损耗特性有助于提升整体发电效率。此外,该模块还可应用于不间断电源(UPS)系统,特别是在在线式双变换UPS中作为逆变桥臂元件,确保市电中断时负载仍能获得稳定纯净的交流输出。其他适用场景还包括电焊机电源、感应加热设备、电力有源滤波器(APF)以及电动汽车充电桩中的功率转换单元。由于其具备较高的电压和电流等级,CM150E3U-12H特别适合构建380V至690V工业电压等级下的中小功率逆变单元,是多种电力电子装置中的核心功率器件之一。

替代型号

2MBI150VN-12H-50
  FF150R12KS4
  CM150DY-12H

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CM150E3U-12H参数

  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)13.2nF @ 10V
  • 功率 - 最大600W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块