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CM150DY-24A 发布时间 时间:2025/5/20 19:44:48 查看 阅读:3

CM150DY-24A是一种高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
  其封装形式通常为DPAK或TO-220,便于散热设计,适用于需要高效能和可靠性的工业及消费类电子产品中。

参数

最大漏源电压:150V
  最大连续漏极电流:24A
  导通电阻:7mΩ(典型值)
  栅极电荷:35nC(典型值)
  输入电容:1200pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  总功耗:200W(在特定条件下)

特性

CM150DY-24A的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关性能,可实现更高的开关频率,从而减小磁性元件体积。
  3. 强劲的雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 热稳定性好,能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保设计。

应用

CM150DY-24A适合用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 电机驱动电路,特别是无刷直流电机控制。
  3. DC-DC转换器中的功率级开关。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统,例如电动助力转向(EPS)和逆变器模块。

替代型号

CM150DY-24B, IRFZ44N, FDP16N15E

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CM150DY-24A参数

  • 标准包装2
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)3V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)23nF @ 10V
  • 功率 - 最大960W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 配用BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT