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CM150DY-12H 发布时间 时间:2025/9/29 21:06:52 查看 阅读:13

CM150DY-12H是一款由Powerex(现属于富士电机)生产的高功率半导体器件,属于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块。该模块采用先进的沟槽栅场截止(Trench Gate Field-Stop)技术制造,具备低导通压降和快速开关特性,适用于中高功率的电力电子变换系统。CM150DY-12H为双单元(Dual Module)结构,内部集成两个独立的IGBT芯片与反并联快速恢复二极管,通常用于半桥或双斩波电路配置。该模块额定电压为1200V,额定电流为150A,适合在高温、高电压和大电流环境下稳定运行。其封装形式为标准的平板式(Press-Pack)或焊接式底板设计,具有良好的热传导性能和机械稳定性,广泛应用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、逆变焊机、太阳能逆变器以及电动汽车充电桩等电力转换设备中。该模块还具备较高的抗浪涌能力和短路耐受能力,增强了系统在异常工况下的可靠性。
  CM150DY-12H的设计注重热管理与电气隔离性能,采用陶瓷绝缘基板(如Al2O3)和无铅焊接工艺,符合RoHS环保要求。此外,该模块支持并联使用以扩展输出功率,适用于需要高功率密度和高效率的应用场景。由于其优良的动态性能和坚固的封装结构,CM150DY-12H在工业级应用中表现出色,能够在恶劣的工作环境中长期稳定运行。

参数

类型:IGBT模块
  拓扑结构:双单元(Dual IGBT)
  集电极-发射极电压Vce(max):1200V
  集电极电流Ic(25°C):150A
  集电极电流Ic(100°C):75A
  饱和压降Vce(sat)@Ic=150A,Tj=25°C:约1.7V
  栅极电压Vge(max):+20V/-10V
  工作结温范围Tj:-40°C 至 +150°C
  存储温度范围Tstg:-40°C 至 +150°C
  开关时间(开通延迟+上升时间):典型值约0.8μs
  开关时间(关断延迟+下降时间):典型值约1.5μs
  热阻Rth(j-c):约0.25 K/W
  封装形式:2-in-1模块,螺栓安装或压接式

特性

CM150DY-12H采用先进的沟槽栅场截止(Trench Field-Stop)IGBT芯片技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,提升了整体能效。该技术通过优化电场分布,减小了拖尾电流,从而加快了关断速度,并降低了关断过程中的能量损耗。模块内部的IGBT芯片与FRD(快速恢复二极管)经过精确匹配,确保在高频开关条件下实现良好的动态均流和电压均衡,减少电磁干扰(EMI)。
  该模块具备优异的热性能,其陶瓷基板与铜底板之间的连接采用可靠的焊接工艺,确保长期运行下的热循环稳定性。热阻低至约0.25K/W,有助于将芯片产生的热量高效传递至散热器,避免局部过热导致的性能下降或失效。同时,模块的电气隔离能力达到数千伏以上,满足工业安全标准要求。
  CM150DY-12H具有较强的短路承受能力,典型短路耐受时间为6μs以上,在发生瞬时过流时能够提供足够的保护窗口,配合外部驱动电路实现快速保护响应。其栅极阈值电压设计合理,典型值为5.5V~6.5V,可在噪声环境中保持稳定触发,避免误开通。
  该模块支持多模块并联使用,得益于其一致的电气特性和对称布局设计,并联时可实现良好的均流效果,适用于构建更高功率等级的变频器或逆变器系统。此外,模块引脚布局优化,便于母排连接,降低杂散电感,提升系统开关性能。其坚固的封装结构也适用于振动频繁或环境恶劣的工业现场。
  CM150DY-12H还具备良好的抗湿热性能和长期可靠性,通过了多项国际认证测试,包括UL、CE等,适用于全球范围内的工业设备制造。配套的驱动电路设计建议采用负压关断(如-8V~ -15V),以增强抗干扰能力和防止米勒效应引起的误开通。

应用

CM150DY-12H广泛应用于各类中高功率电力电子变换装置中。在工业自动化领域,常用于交流传动系统的变频器中,作为主逆变桥臂的核心开关元件,驱动三相异步电机或永磁同步电机,实现精确的速度与转矩控制。其高效率和高可靠性使其成为高性能伺服驱动器的理想选择。
  在可再生能源系统中,该模块被广泛应用于光伏并网逆变器,负责将太阳能电池板产生的直流电高效转换为符合电网标准的交流电。其快速开关能力和低损耗特性有助于提升逆变器的整体转换效率,尤其是在部分负载条件下表现优异。
  在不间断电源(UPS)系统中,CM150DY-12H用于DC/AC逆变环节,确保在市电中断时能够迅速切换并持续供电,保障关键设备的正常运行。其宽温度工作范围和高可靠性特别适合数据中心、通信基站等对供电质量要求极高的场合。
  此外,该模块也适用于感应加热设备、电焊机电源、电动汽车充电站(特别是直流充电桩的功率模块)以及风力发电变流器等高功率密度应用场景。在这些应用中,CM150DY-12H不仅提供了高效的能量转换能力,还能在频繁启停和负载波动的情况下保持稳定运行,延长设备使用寿命。

替代型号

CM150DX-12H
  FF150R12KS4
  IGBTGA150B120S1

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CM150DY-12H参数

  • 标准包装2
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.8V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)15nF @ 10V
  • 功率 - 最大600W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 其它名称835-1079CM150DY-12H-ND