CM105B103K50AT 是一款多层陶瓷电容器(MLCC),广泛应用于各种电子电路中,用于滤波、去耦、储能等用途。该型号属于高稳定性电容器,具有较小的体积和较高的电性能稳定性,适用于对尺寸和性能有较高要求的电路设计。该电容器的标称电容为10,000 pF(10nF),额定电压为50V,采用K级精度(±10%)。
电容值:10,000 pF (10nF)
电压:50V
容差:±10% (K)
温度系数:X7R(-55°C至+125°C)
封装:1206(3216公制)
介质材料:陶瓷(多层结构)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
CM105B103K50AT 采用X7R类陶瓷介质材料,具有良好的温度稳定性,能够在宽温度范围内保持电容值的相对稳定。其多层结构设计不仅提高了电容器的机械强度,还增强了其在高频应用中的性能表现。此外,该器件具有低等效串联电阻(ESR)和良好的高频响应,适合用于去耦和旁路电路中,有助于降低电源噪声和提高系统稳定性。
该电容器的封装形式为1206(3216公制),适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和组装。同时,其紧凑的设计使其成为空间受限应用的理想选择,例如便携式电子设备、通信模块和工业控制系统等。CM105B103K50AT 还具有良好的耐湿性和耐热性,确保在各种环境条件下都能稳定运行。
CM105B103K50AT 主要应用于需要高稳定性和高频性能的电子设备中。常见应用包括:电源滤波电路中的去耦电容,用于消除高频噪声并稳定电压;在射频(RF)电路中作为旁路电容,提升信号完整性;在数字电路中用于降低电源线上的瞬态噪声,提升系统可靠性;在模拟电路中用于耦合、滤波和调谐等功能。此外,该电容器也广泛应用于消费类电子产品、汽车电子、工业控制设备和通信设备中。
CL21B103KBQNNNE, GRM188R71H103KA01, C1608X7R1H103K, ECJ-2FB1H103K