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CM100DY-12H 发布时间 时间:2025/9/29 21:07:16 查看 阅读:7

CM100DY-12H是一款由Powerex(现为Mitsubishi Electric半导体部门的一部分)生产的高功率晶闸管模块,广泛应用于工业电力控制领域。该器件属于SCR(Silicon Controlled Rectifier)模块类别,采用双单元(Dual Module)结构设计,内部集成了两个独立的晶闸管,通常用于三相全控整流桥、交流调压、电机驱动、电焊机电源以及其他大功率电力电子变换系统中。CM100DY-12H具有100A的额定通态电流和1200V的反向重复峰值电压,适用于中高压、大电流的工作环境。其封装形式为平板式(Press-Pack或Stud Mount兼容),具备良好的热传导性能和机械稳定性,适合安装在大型散热器上以实现高效散热。该模块采用陶瓷绝缘封装技术,具有较高的绝缘强度和可靠性,能够在恶劣工业环境下长期稳定运行。此外,CM100DY-12H设计符合国际安全标准,具备优异的dv/dt耐受能力和浪涌电流承受能力,能够有效防止误触发和过载损坏。由于其成熟的设计和可靠的性能,CM100DY-12H在电镀电源、感应加热、直流驱动系统等工业应用中被广泛采用。

参数

型号:CM100DY-12H
  制造商:Powerex (Mitsubishi Electric)
  器件类型:双单元晶闸管模块(SCR Module)
  额定通态平均电流(IT(AV)):100A
  反向重复峰值电压(VRRM):1200V
  正向重复峰值电压(VDRM):1200V
  非重复浪涌电流(ITSM):1800A(半波)
  门极触发电流(IGT):典型值35mA,最大100mA
  门极触发电压(VGT):典型值1.5V,最大3.0V
  通态电压(VTM):约1.65V @ ITM = 1000A
  工作结温范围(Tj):-40°C 至 +125°C
  绝缘电压:2500VAC / 分钟
  热阻(Rth(j-c)):0.25°C/W(每个晶闸管)
  封装形式:双面冷却或底板绝缘模块
  安装方式:螺栓型(Stud Mount)或压力接触

特性

CM100DY-12H具备出色的电气与热性能,其核心优势在于高电流承载能力和稳定的电压耐受特性。该模块中的每个晶闸管均可持续通过100A的平均电流,并能承受高达1200V的正反向阻断电压,确保在高压工况下仍能可靠关断。器件经过优化设计,具有较高的dv/dt耐受能力,通常可达1000V/μs以上,可有效避免因线路杂散电感引起的电压尖峰导致的误导通问题。同时,其非重复浪涌电流可达1800A(单半波),表明其在短时过载或启动冲击条件下具备良好的鲁棒性。
  该模块采用双单元结构,两个SCR共用一个绝缘基板但电气隔离,便于构建全控桥式电路中的两臂,简化了外围布局并提高了系统集成度。其门极灵敏度适中,典型触发电流为35mA,在使用常规驱动电路时无需额外放大即可直接触发,兼容大多数工业级脉冲变压器或光耦隔离驱动器。此外,CM100DY-12H的通态压降较低,约为1.65V(在峰值电流下测量),这有助于减少导通损耗,提高整体系统效率。
  在热管理方面,模块底部采用氧化铝陶瓷绝缘层与铜底板结合的结构,提供优良的热传导路径,热阻仅为0.25°C/W(结到壳),使得热量可以快速传递至外部散热器。这种设计特别适合长时间连续运行的大功率应用场景。模块还具备良好的抗热循环疲劳能力,可在-40°C至+125°C的宽温度范围内稳定工作,适应各种严苛工业环境。其绝缘性能优越,可承受2500VAC持续一分钟的耐压试验,满足IEC 60747-6等国际标准对高压隔离的要求。

应用

CM100DY-12H主要用于需要高功率可控整流和交流调压的工业设备中。典型应用包括三相全控整流电源,如电镀、电解、充电机等直流电源系统,其中多个CM100DY-12H模块可组合成完整的六管全控桥,实现输出电压的精确调节。在电焊机电源中,该模块用于控制焊接电流的导通角,从而调节输出功率,保证焊接过程的稳定性与可控性。
  此外,该器件也广泛应用于感应加热电源,作为逆变器前端的整流部分,将工频交流电转换为高压直流,再经逆变产生高频交流以驱动感应线圈。在交流电机软启动器中,CM100DY-12H可用于控制施加到电动机上的电压斜坡上升,减小启动电流冲击,延长设备寿命。
  其他常见用途还包括大功率直流调速系统、UPS不间断电源的输入整流环节、电力补偿装置以及冶金、化工行业的特种电源设备。由于其坚固耐用、性能稳定,CM100DY-12H尤其适合在重工业环境中长期运行,是传统大功率SCR应用中的主流选择之一。

替代型号

CM100DX-12H
  CM100DY-24H
  SKKT100/12E (Infineon)
  T100N12TOF (STMicroelectronics)
  CR100DG120 (Mitsubishi旧型号)

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CM100DY-12H参数

  • 标准包装3
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.8V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)10nF @ 10V
  • 功率 - 最大400W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 其它名称835-1077CM100DY-12H-ND