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CM100DU-24NFH 发布时间 时间:2025/9/29 18:45:11 查看 阅读:10

CM100DU-24NFH是一款由日本富士电机(Fuji Electric)生产的高功率工业用IGBT模块,广泛应用于大电流、高电压的电力电子设备中。该模块属于第六代IGBT技术,采用先进的沟槽栅和电场截止(Field Stop)结构设计,具有低导通压降、快速开关特性以及良好的热稳定性。CM100DU-24NFH为双单元(Dual)封装结构,内部包含两个独立的IGBT芯片与反并联快速恢复二极管,构成一个共发射极配置的桥臂单元,适用于三相逆变器中的半桥拓扑结构。模块额定电压为1200V,最大集电极电流可达100A,在75℃环境温度下可连续工作。其绝缘底板设计增强了电气安全性,适合在工业驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、焊接设备及电机控制等高可靠性要求场合使用。模块采用标准P型封装,便于安装于散热器上,并支持螺栓固定方式,确保良好的热传导性能。此外,该器件具备较高的抗浪涌能力和短路耐受时间,提升了系统在异常工况下的鲁棒性。

参数

型号:CM100DU-24NFH
  制造商:Fuji Electric
  器件类型:IGBT模块
  结构:NPT IGBT + FWD(双单元)
  额定电压VCES:1200V
  额定电流IC(TC=80°C):100A
  最大结温Tj:150°C
  开关频率:典型应用≤20kHz
  导通压降VCE(sat)@25°C:2.1V(典型值)
  栅极电阻Rg:内置或外接推荐5~10Ω
  隔离电压:2500Vrms/分钟
  封装形式:P型模块
  安装方式:螺栓式安装

特性

CM100DU-24NFH采用富士电机第六代IGBT工艺,具备优异的开关特性和导通性能,通过优化载流子分布和电场调控机制,显著降低了开关损耗与导通压降之间的折衷矛盾。其沟道结构结合场截止层设计,使得器件在保持高击穿电压的同时,实现更薄的漂移区,从而减小了拖尾电流并加快了关断速度,有效提升整体能效。模块内部集成两个独立的IGBT-FWD对,每个IGBT均匹配高性能快速恢复二极管,该二极管具有软恢复特性,可抑制反向恢复电流尖峰和电压振荡,减少电磁干扰(EMI),提高系统可靠性。模块的热阻特性经过优化,从结到外壳的热阻约为0.25°C/W,有利于热量快速传递至散热系统,延长使用寿命。此外,该模块具备较强的短路承受能力,可在额定条件下承受约10μs的短路电流而不损坏,配合外部保护电路可构建高度安全的功率变换系统。制造过程中采用先进的焊接和绑定工艺,确保内部连接牢固,抗热疲劳能力强,适应频繁启停和负载波动的应用环境。
  CM100DU-24NFH还具备良好的电磁兼容性设计,引脚布局合理,减少了寄生电感,有助于降低关断时的电压过冲。模块外壳采用高强度绝缘材料,满足IEC 60146等国际标准对高压隔离的要求,适用于多种工业级应用场景。其可靠的封装技术和严格的老化筛选流程保证了产品的一致性和长期运行稳定性。用户在使用时建议遵循推荐的栅极驱动条件,如正向栅压+15V、负向关断电压-5V至-10V,以防止误触发和米勒效应引起的误导通。同时,需注意母线杂散电感的控制,配合吸收电路(Snubber Circuit)进一步提升系统的动态性能和安全性。

应用

CM100DU-24NFH广泛用于各类中高功率交流驱动和直流变换系统中。在工业变频器领域,常作为三相逆变桥的核心开关元件,驱动感应电机或永磁同步电机,实现精确的速度和转矩控制。在不间断电源(UPS)系统中,该模块可用于DC/AC逆变级,将蓄电池直流电高效转换为纯净正弦波交流输出,保障关键设备持续供电。在太阳能光伏逆变器中,CM100DU-24NFH可用于组串式或集中式逆变器的主功率回路,处理数百至上千伏安级别的能量转换任务,具备高效率和高可靠性的优势。此外,它也适用于电焊机电源、感应加热装置、电力有源滤波器(APF)以及电动汽车充电桩等需要高功率密度和稳定工作的场景。由于其具备良好的动态响应能力和温度稳定性,特别适合在电网波动较大或环境恶劣的工业现场长期运行。配合合适的驱动电路和保护机制,如过流检测、过热保护和欠压锁定功能,能够构建出高性能、高安全等级的电力电子系统。

替代型号

SE100GD126E

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CM100DU-24NFH参数

  • 标准包装2
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型-
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)6.5V @ 15V,100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)16nF @ 10V
  • 功率 - 最大560W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块
  • 配用BG2C-5015-ND - KIT DEV BOARD 5A FOR IGBTBG2C-3015-ND - KIT DEV BOARD 3A FOR IGBTBG2A-NFH-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT
  • 其它名称835-1004