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CM100DC1-24NFM 发布时间 时间:2025/9/29 16:26:11 查看 阅读:6

CM100DC1-24NFM是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高功率工业用IGBT模块,广泛应用于大电流、高电压的电力电子变换设备中。该模块属于第六代IGBT技术产品,采用先进的沟槽栅和场截止结构设计,具有低导通压降、快速开关特性以及良好的热稳定性。CM100DC1-24NFM为双单元(Dual Type)模块,内部集成了两个独立的IGBT芯片与对应的续流二极管,通常用于逆变器、UPS不间断电源、工业电机驱动、电焊机及新能源发电系统等场合。该模块封装形式为通用型平板式(Flat Base),便于安装在大型散热器上,具备良好的机械强度和散热性能。其额定电压为1200V,额定电流为100A,适用于工作环境严苛的工业领域。模块绝缘性能良好,可承受较高的温度循环和电气应力,符合国际安全标准,适合在三相逆变桥臂中作为半桥单元使用。
  CM100DC1-24NFM支持直接并联使用以提升输出功率能力,并具备优异的短路耐受时间和热循环寿命,提升了系统的可靠性。此外,该模块还优化了内部引线布局,降低了寄生电感,有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰,从而提高整体系统效率和稳定性。由于其成熟的工艺和稳定的供货渠道,CM100DC1-24NFM在全球范围内被众多电力电子制造商广泛采用。

参数

型号:CM100DC1-24NFM
  制造商:Fuji Electric
  器件类型:IGBT模块(双单元)
  最大集射极电压 VCES:1200V
  额定集电极电流 IC @ 25°C:100A
  额定集电极电流 IC @ 80°C:65A
  最大结温 Tj:150°C
  栅极电压范围 VGES:±20V
  典型开关频率:≤20kHz
  导通压降 VCE(sat) @ IC=100A, VGE=15V:约2.15V
  反向恢复时间 trr:≤500ns
  热阻 Rth(j-c):0.29°C/W
  封装形式:Flat Package (螺栓安装型)
  内部配置:2单元(Half-Bridge / Dual IGBT with Anti-Parallel Diodes)

特性

CM100DC1-24NFM采用富士电机第六代IGBT芯片技术,具备卓越的电学与热学性能。其核心优势在于低导通损耗与开关损耗之间的良好平衡,使得模块在高频开关应用中仍能保持高效运行。沟槽栅与场截止(Trench and Field Stop)结构显著降低了VCE(sat),从而减少了导通状态下的功率损耗,提升了系统整体能效。同时,该结构增强了载流子分布的均匀性,改善了电流集中问题,提高了器件的可靠性和长期运行稳定性。
  模块内置两个IGBT芯片及其配套的快速软恢复二极管,构成半桥拓扑结构,非常适合用于三相逆变器的单相桥臂或斩波电路中。二极管具有低反向恢复电荷Qrr和可控的反向恢复软度,有效抑制了换流过程中产生的电压振荡和EMI干扰,保护IGBT免受过压损坏。此外,模块采用高纯度陶瓷基板和先进焊接工艺,确保了优异的热传导能力和抗热疲劳性能,在频繁启停或负载波动大的工况下依然稳定可靠。
  CM100DC1-24NFM具备较强的短路耐受能力,典型短路耐受时间可达10μs以上,配合外部驱动保护电路可实现快速故障响应。其输入电容Cies较小,驱动功率需求低,兼容标准+15V/-15V或+15V/0V驱动信号,易于与各类驱动IC或光耦隔离电路匹配。模块外壳设计为金属底板绝缘结构,支持直接与散热器接触安装,简化了系统装配流程。整体设计符合RoHS环保要求,且通过多项国际认证,适用于出口型高端工业设备。
  值得一提的是,该模块在并联使用时表现出良好的均流特性,得益于芯片的一致性控制和模块内部对称布线设计,多模块并联时无需额外复杂的均流措施即可实现电流均衡分配,极大地方便了大功率系统的扩展设计。

应用

CM100DC1-24NFM主要应用于需要高功率密度和高可靠性的工业电力电子装置中。典型应用场景包括中等功率等级的交流变频器,用于驱动工业电机实现节能调速;在不间断电源(UPS)系统中,作为DC/AC逆变级的核心开关器件,承担将直流母线电压转换为纯净正弦交流电的任务,其快速响应能力和低失真输出有助于提升UPS的供电质量。
  该模块也广泛用于电焊机电源,特别是在IGBT逆变式弧焊机中,利用其高频硬开关能力实现紧凑化设计和动态调节电弧特性的功能。在太阳能光伏逆变器中,CM100DC1-24NFM可用于组串式逆变器的主功率回路,尤其是在非隔离型拓扑结构中表现良好。此外,在电动汽车充电桩、感应加热设备、有源滤波器(APF)和静态无功补偿装置(SVC)中也有广泛应用。
  由于其具备较高的电压和电流裕度,CM100DC1-24NFM还可用于实验平台、电力电子教学设备以及原型验证系统中,作为研究新型控制策略和拓扑结构的理想选择。其坚固的封装结构使其能在恶劣工业环境中长期稳定运行,例如高温、高湿或多粉尘场所,满足严苛的工业级应用需求。

替代型号

2MBI100U4B-120
  SEMiX100GB12Eps
  FF100R12KS4
  SKM100GB12T4

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