CM05RB01 时间：2025/12/27 10:39:10 阅读：17

CM05RB01是一款由华润微电子推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等中低功率场景。该器件采用先进的沟槽栅工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适合在紧凑型电子设备中实现高效能的功率控制。CM05RB01封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，便于在空间受限的PCB设计中使用，同时具备良好的散热性能。该MOSFET工作电压适中，适用于电池供电设备及便携式电子产品中的开关应用。作为一款性价比高的国产功率器件，CM05RB01在替代进口同类产品方面具有较强的竞争力，尤其在消费电子、工业控制和智能家居等领域得到了广泛应用。其可靠性经过严格测试，符合RoHS环保要求，并通过了多项国际质量认证，确保在各种工作环境下稳定运行。

参数

型号：CM05RB01
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：4.2A
　　脉冲漏极电流(IDM)：16.8A
　　导通电阻(RDS(on))：12mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：16mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：450pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：140pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：8nC @ VGS=10V
　　功耗(PD)：1W
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度(Tstg)：-55℃ ~ +150℃

特性

CM05RB01采用先进的沟槽型场效应晶体管结构，具有极低的导通电阻，这使得它在大电流条件下仍能保持较低的功耗，显著提升系统整体效率。其RDS(on)典型值仅为12mΩ（在VGS=10V时），即使在4.5V的较低驱动电压下也能维持16mΩ的低阻状态，适应多种驱动条件下的应用需求，尤其适合由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的场合。该器件具备优异的开关特性，输入电容和反向传输电容较小，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高高频工作的稳定性。由于采用了优化的芯片设计与封装技术，CM05RB01拥有良好的热传导能力，在SOT-23封装尺寸内实现了高达1W的功率耗散能力，可在高温环境中可靠运行。
　　此外，该MOSFET的阈值电压范围合理（1.0V~2.0V），确保在启动过程中能够快速开启，避免长时间处于线性区导致过热。其最大连续漏极电流可达4.2A，脉冲电流支持高达16.8A，适用于瞬态负载较大的应用场景。器件还具备较强的抗雪崩能力和ESD保护性能，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。CM05RB01的制造过程遵循严格的品质管理体系，确保批次一致性高，可靠性强，适用于自动化贴片生产流程。综合来看，这款MOSFET不仅性能优越，而且成本可控，是中小功率开关电路中理想的功率开关元件。

应用

CM05RB01因其小封装、低导通电阻和高可靠性，被广泛应用于各类便携式电子设备和嵌入式系统中。常见用途包括锂电池供电产品的电源开关控制，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件常用于同步整流或主开关管，以提高转换效率并减小发热。此外，在电机驱动模块中，CM05RB01可用于驱动小型直流电机或步进电机的H桥电路，实现正反转控制和制动功能。其高速开关能力也使其适用于LED恒流驱动电路中的PWM调光开关。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于PLC输入输出模块、传感器供电控制、继电器驱动等场景，作为固态开关替代机械继电器，提升响应速度和寿命。在家用电器中，如智能插座、无线充电器、小家电控制器等，CM05RB01同样发挥着关键作用。得益于SOT-23的小尺寸封装，它非常适合高密度PCB布局，有利于产品小型化设计。同时，其符合RoHS标准，满足现代电子产品对环保材料的要求，适用于出口型产品认证。总体而言，CM05RB01是一款通用性强、适用范围广的N沟道MOSFET，特别适合对空间和能效有较高要求的应用场景。