时间：2025/12/27 9:28:28
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CM01H900T是一款由华润微电子推出的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率场效应晶体管，主要面向高效率、高频开关电源应用。该器件结合了氮化镓材料的优异电学特性与成熟硅基工艺的优势，实现了比传统硅MOSFET更低的导通电阻和开关损耗，从而显著提升电源系统的整体能效和功率密度。CM01H900T采用先进的封装技术，具备良好的热性能和可靠性，适用于消费类电子产品、数据中心电源、通信设备以及工业电源等对体积和效率要求较高的应用场景。该器件工作稳定，支持快速开关，能够有效减少外围电路元件数量，简化系统设计。同时，其内部集成有静电放电（ESD）保护结构，在一定程度上增强了器件在实际使用中的鲁棒性。CM01H900T符合RoHS环保标准，适合现代绿色能源产品的需求。作为华润微电子在宽禁带半导体领域的重要产品之一，CM01H900T体现了国产功率器件在高端市场的技术进步和竞争力提升。
型号：CM01H900T
类型：增强型氮化镓场效应晶体管
材料：GaN-on-Si
漏源电压（VDS）：900V
连续漏极电流（ID）：1A
脉冲漏极电流（IDM）：3A
导通电阻（RDS(on)）：450mΩ
栅源阈值电压（VGS(th)）：2.6V
输入电容（Ciss）：270pF
输出电容（Coss）：45pF
反向恢复电荷（Qrr）：0nC
工作结温范围（Tj）：-40℃ ~ +150℃
封装形式：DFN8x8
CM01H900T的核心优势在于其基于GaN-on-Si技术的卓越开关性能。氮化镓作为一种宽禁带半导体材料，具有更高的电子迁移率和临界电场强度，使得该器件能够在900V的高压下实现仅450mΩ的低导通电阻，大幅降低了导通状态下的功率损耗。相较于传统的硅基超结MOSFET，CM01H900T在高频工作条件下表现出更小的开关能量损耗，尤其在硬开关拓扑如图腾柱PFC、LLC谐振转换器中，能够显著提升系统效率并减少散热需求。此外，该器件的反向恢复电荷（Qrr）为零，意味着体二极管无反向恢复问题，从根本上消除了因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰，提升了系统可靠性和EMI表现。
器件采用DFN8x8封装，具有较小的寄生电感和优良的热传导能力，有助于在高功率密度设计中实现更稳定的热管理。封装底部设有大面积裸露焊盘，可通过PCB有效散热，确保长期运行的可靠性。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常推荐10V~12V开启），便于与主流控制器配合使用。同时，器件具备较强的抗浪涌能力和良好的dv/dt耐受性，适用于各种复杂电磁环境下的电源系统。CM01H900T还通过了严格的质量认证和可靠性测试，包括高温高压栅极偏置（HV-H3TRB）、高温反向偏置（HTRB）等，确保在严苛工况下的长期稳定性。这些特性使其成为替代传统硅器件的理想选择，尤其是在追求小型化、高效化的新一代电源设计中展现出巨大潜力。
CM01H900T广泛应用于各类高效率开关电源系统中。典型应用场景包括大功率适配器和充电器（如笔记本电脑、服务器电源、快充PD电源），在这些设备中，利用其高频低损特性可实现更高功率密度的设计，缩小变压器和滤波元件体积。在数据中心和通信基站所使用的AC-DC和DC-DC电源模块中，CM01H900T可用于图腾柱无桥PFC电路，显著提升满载和轻载效率，满足80 PLUS钛金等高能效标准。此外，该器件也适用于工业电源、LED驱动电源、太阳能微型逆变器以及电动汽车车载充电机（OBC）中的辅助电源单元。在激光驱动、医疗设备电源等对响应速度和稳定性要求较高的场合，CM01H900T的快速开关能力和低噪声特性也展现出明显优势。随着氮化镓技术的成熟和成本下降，CM01H900T正逐步在更多高端电力电子系统中取代传统硅器件，推动整个行业向更高效、更紧凑的方向发展。
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