CLPX05PN 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用 TO-92 封装,具备较高的可靠性和较低的导通电阻。CLPX05PN 常用于需要高效能和小型封装的便携式电子设备中。
类型:P 沟道 MOSFET
漏极电流(ID):-100mA
漏极-源极击穿电压(VDS):-60V
栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):10Ω @ VGS = -10V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-92
CLPX05PN 是一款性能优异的 P 沟道 MOSFET,具有低导通电阻和高可靠性的特点。该器件的漏极电流为 -100mA,漏极-源极击穿电压为 -60V,适合用于低功率的电源管理应用。其导通电阻在 VGS = -10V 时为 10Ω,确保了在小电流应用中的高效能。CLPX05PN 的栅极-源极电压范围为 ±20V,提供了良好的栅极控制能力。此外,该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,能够在广泛的温度范围内稳定工作。CLPX05PN 采用 TO-92 小型封装,便于在空间受限的设计中使用。
该 MOSFET 的设计确保了其在负载开关和电源管理应用中的优异性能。其低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的效率。同时,CLPX05PN 具备良好的热稳定性和抗静电能力,增强了器件在恶劣环境中的耐用性。由于其小型封装和高性能,CLPX05PN 被广泛应用于便携式电子产品、电池供电设备和小型电源模块中。
CLPX05PN 常用于电源管理系统、负载开关、电池供电设备、便携式电子产品和小型电源模块等应用场景。其低导通电阻和小型封装使其非常适合用于需要高效能和紧凑设计的电路中。
CLPF05PN, 2N3906, 2N4403