类型：单通道隔离式栅极驱动器
　　最大工作结温：200°C
　　输出电流峰值：4 A（拉电流）/6 A（灌电流）
　　电源电压范围（VDD）：15 V 至 30 V
　　逻辑输入电压兼容性：3.3 V / 5 V TTL 和 CMOS 兼容
　　传播延迟：<70 ns
　　上升时间（典型值）：<25 ns
　　下降时间（典型值）：<20 ns
　　隔离电压（VIORM）：≥1200 VPEAK（符合IEC 60747-17标准）
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：>100 kV/μs
　　工作温度范围（环境）：-55°C 至 +175°C（可短时承受更高温度）
　　内置DC-DC控制器输出电压：15 V 或 可调
　　DC-DC开关频率：约1 MHz
　　封装形式：耐高温陶瓷DIP-16或类似封装

CLM4429P的核心特性之一是其卓越的高温工作能力，可在高达200°C的结温下长期稳定运行，远超传统硅基驱动器的性能极限。这得益于其采用的特殊半导体工艺和材料选择，包括深槽隔离技术与高温CMOS设计，使得芯片在高温下仍能保持低漏电流和稳定的电气参数。这种能力使其成为碳化硅功率器件的理想搭档，因为SiC器件本身也常在高温环境中运行，而传统驱动器往往无法匹配其热性能。
　　另一个关键特性是集成化的DC-DC控制器。大多数高温应用中，由于缺乏适合高温环境的商用DC-DC转换器，系统设计面临极大挑战。CLM4429P内置高频DC-DC控制器，可以直接外接变压器实现隔离电源生成，从而为次级侧驱动电路提供稳定的工作电压，省去了外部复杂且不可靠的电源模块。该控制器支持宽输入电压范围，并具有过流保护和软启动功能，提升了系统的整体可靠性。
　　CLM4429P还具备出色的动态性能，拥有极低的传播延迟和上升/下降时间，确保精确控制SiC MOSFET的开关过程，减少开关损耗并抑制电磁干扰。其高达100 kV/μs以上的共模瞬态抗扰度（CMTI）保证了在高压快速切换环境下信号传输的准确性，避免误触发导致的桥臂直通风险。
　　该器件通过了严格的AEC-Q100和MIL-STD认证测试，具备高抗辐射、抗振动和抗湿气能力，适合部署于飞行器引擎控制系统、深井钻探工具和电动飞机推进系统等极端场合。此外，其陶瓷封装支持金线键合和高温焊料组装，便于集成到厚膜混合电路或多芯片模块中，进一步提升系统集成度和可靠性。

CLM4429P广泛应用于需要在极端温度和恶劣环境下可靠运行的电力电子系统中。在电动汽车领域，它被用于主逆变器和车载充电系统中的SiC MOSFET驱动，尤其是在靠近发动机或电池包等高温区域，传统驱动器难以胜任的情况下，CLM4429P展现出独特优势。其高温耐受能力和紧凑集成设计有助于缩小电控系统的体积并提高整体效率。
　　在航空航天与国防领域，该芯片适用于飞机电推进系统、雷达电源模块以及卫星电源管理系统。这些应用场景通常要求元器件能在-55°C至+175°C甚至更高的温度范围内工作，并具备抗辐射和长寿命特性，CLM4429P完全满足此类严苛规范。
　　在能源行业，特别是在地热发电或石油天然气勘探设备中，井下测量与控制系统常常暴露在超过150°C的高温环境中，CLM4429P可用于驱动高压DC-DC变换器或逆变器中的功率开关，保障系统长时间无故障运行。
　　此外，在风力发电和太阳能逆变器中，CLM4429P可用于构建高效、高可靠性的功率转换模块，特别是在密闭散热条件差的机舱或户外箱体内，其高温稳定性显著提升了系统可用性和维护周期。同时，该器件也可用于工业电机驱动、高端UPS电源及医疗高能设备中，作为关键的隔离驱动解决方案。

MAX25220
　　ADuM4136
　　SICD1820