时间：2025/8/5 23:13:11
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CLE40E1200HB是一款由Cree（现为Wolfspeed）生产的碳化硅（SiC）功率MOSFET模块，专为高功率、高频和高温环境下的应用设计。该模块采用先进的碳化硅半导体技术，具有极低的导通电阻和开关损耗，适用于电动汽车、可再生能源系统和工业电源等领域。
类型：碳化硅功率MOSFET模块
漏源电压（VDS）：1200V
连续漏极电流（ID）：40A
导通电阻（RDS(on)）：150mΩ
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：双列直插式（Dual-in-Line）
安装方式：通孔安装
尺寸：130mm x 76mm x 18mm
重量：约300g
CLE40E1200HB模块基于碳化硅材料，具有优异的热导率和高温稳定性，能够在极端温度下保持高效运行。
其导通电阻低至150mΩ，显著减少了导通损耗，提高了系统效率。
该模块的开关损耗极低，使得在高频工作条件下仍能保持良好的性能，从而减小了外部无源元件的尺寸和成本。
此外，CLE40E1200HB具备较高的击穿电压能力，确保在高电压应用中的可靠性与安全性。
模块采用紧凑的双列直插式封装，便于安装和散热管理，适用于各种高功率密度设计。
该模块广泛应用于电动汽车（EV）充电系统、车载逆变器、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高效率开关电源等场景。
由于其优异的高频性能和高温耐受性，CLE40E1200HB也适用于需要轻量化和高效能的航空航天及轨道交通领域。
在电动汽车中，该模块可作为主逆变器的关键组件，实现高效的能量转换和动力输出。
在工业应用中，它可用于构建高效率的电机驱动系统，提升整体能效并降低运行成本。
CMF20120D、CMH12120K、IXYS IXFN40N120SiHF
