时间：2025/8/5 19:42:43
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CLA40MT1200NHR是一款由Nexperia生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率的电源转换应用设计。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供了优异的导通和开关性能。其高耐压、低导通电阻以及快速开关特性使其适用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理模块等高要求的电力电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：40A
最大漏源电压：120V
导通电阻(RDS(on))：35mΩ @ VGS=10V
栅极电荷(Qg)：52nC
功率耗散：140W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220AB
CLA40MT1200NHR具有极低的导通电阻，能够在高电流负载下保持较低的导通损耗，提高整体系统效率。
其先进的Trench沟槽技术提高了单位面积内的载流能力，同时优化了热性能，确保器件在高温环境下依然稳定运行。
此外，该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），使得开关损耗显著降低，适用于高频开关应用。
器件具有良好的热稳定性，采用TO-220AB封装，具备良好的散热能力，适用于各种工业级和汽车级应用。
由于其高可靠性和优良的电气性能，该器件适用于严苛工作环境下的电力电子系统。
CLA40MT1200NHR广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：
工业电源、服务器电源、通信电源、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、UPS不间断电源、电机控制以及新能源领域的光伏逆变器和电动汽车充电模块。
其优异的电气特性和高可靠性也使其成为汽车电子系统中功率管理模块的理想选择，如车载充电器（OBC）、DC-DC变换器等应用。
SiHF40N120E、SPW47N120C3、STP40NM120HD、FDPF40N120DN
