类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：30A
　　最大正向电压（VF）：1.75V（典型值，@ IF = 30A, Tj = 25°C）
　　非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）：280A（@ 8.3ms 半正弦波）
　　最大反向漏电流（IR）：1.5mA（@ VR = 1200V, Tj = 125°C）
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-247-2L
　　热阻结至外壳（RθJC）：约1.2°C/W
　　反向恢复时间（trr）：无（肖特基结构）

CLA30E1200PC的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性所带来的卓越电气性能。传统硅基二极管在高压应用中存在较大的导通损耗和反向恢复损耗，尤其在高频开关条件下效率显著下降。而CLA30E1200PC采用SiC肖特基结构，从根本上消除了PN结带来的少数载流子存储效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流（Irr），极大减少了开关过程中的能量损耗，提升了系统效率并降低了电磁干扰（EMI）。这一特性使其在高频DC-DC变换器、图腾柱PFC电路等对开关性能要求极高的拓扑中表现出色。
　　该器件具备优异的热性能，其最高工作结温可达+175°C，远高于传统硅器件的150°C上限，使其能够在高温工业环境或密闭空间中稳定运行。同时，碳化硅材料本身具有更高的热导率，有助于热量快速从结传递到外壳，结合低至1.2°C/W的结至壳热阻，确保了在高负载条件下的长期可靠性。此外，较低的正向压降（典型值1.75V @ 30A）不仅降低了导通损耗，还减少了温升，进一步提升了能效。
　　CLA30E1200PC的TO-247封装设计兼容标准功率模块安装工艺，支持通孔焊接或压接安装，便于在现有设计中替换传统硅快恢复二极管或IGBT体二极管。其高浪涌电流承受能力（280A）也增强了系统在瞬态过载或启动冲击下的鲁棒性。由于其无反向恢复特性，在与SiC MOSFET或IGBT配合使用时，可有效减少交叉导通风险，优化死区时间控制，提升整体变换器效率。此外，该器件对dv/dt应力具有较强的耐受能力，适用于高dV/dt开关环境，避免误触发或局部击穿问题。

CLA30E1200PC广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。在工业领域，常用于伺服驱动器、变频器和感应加热设备中的续流二极管或钳位二极管，利用其快速响应和低损耗特性提升系统动态性能。在可再生能源方面，该器件是光伏逆变器和储能系统DC-AC变换器中的关键元件，特别是在MPPT升压级和H桥输出级中作为续流或整流元件，显著提高整机效率并降低散热需求。
　　在电动汽车基础设施中，CLA30E1200PC可用于车载OBC（车载充电机）和直流快充桩的PFC（功率因数校正）电路，尤其是在图腾柱无桥PFC拓扑中发挥核心作用，因其零反向恢复特性可实现超高效率（>98%）。此外，在不间断电源（UPS）和服务器电源等高端电源系统中，该器件被用于LLC谐振变换器的同步整流旁路或主整流路径，以提升轻载和满载效率，满足80 PLUS钛金等级等严苛能效标准。
　　其他应用还包括高压直流电源、航空电子电源、铁路牵引系统以及高功率激光电源等对可靠性要求极高的场合。其宽温度工作范围和高耐压能力使其适应恶劣环境下的长期运行，是现代高效能电源设计中不可或缺的关键元器件。

C3D30120D
　　SDCM30120A