时间：2025/8/6 0:11:42
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CLA16E800PN是一款由STMicroelectronics生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件设计用于高功率应用，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于电源转换、电机控制、工业自动化等场景。该晶体管采用TO-247封装形式，具备良好的热管理和耐压性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：800V
连续漏极电流（Id）：16A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大值）
最大功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
CLA16E800PN具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高漏源电压（800V）允许在高电压环境下稳定运行，适用于各种高功率开关应用。其次，低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具备较高的连续漏极电流能力（16A），可承受较大的负载电流。TO-247封装提供了良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性。该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力和热稳定性，确保在极端工况下仍能可靠运行。栅极阈值电压范围适中（2V~4V），便于驱动电路设计。
此外，CLA16E800PN采用了先进的沟槽栅极技术，提高了电流密度和开关速度，减少了开关损耗。其内部结构优化降低了寄生电容，提升了高频开关性能，适用于高频DC-DC转换器、逆变器及电机驱动电路。同时，该器件的封装符合RoHS环保标准，适用于工业和消费类电子设备。
该MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、工业电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及高功率LED照明系统。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好热管理能力，CLA16E800PN特别适用于需要高效能、高可靠性的电源转换系统。此外，在新能源领域如太阳能逆变器和电动车充电设备中，也常被用于功率开关电路。其稳定性和耐久性使其成为工业自动化控制设备、电动工具和变频家电中的关键元件。
STW15NK80Z, FQA16N80C, 2SK2142
