时间：2025/11/11 11:33:38
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CL43A476MQJNNNF 是由 KEMET（现为 Yageo 集团旗下品牌）生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于电子电路中的去耦、滤波、旁路和储能等应用。该器件属于 C0G（NP0）温度特性系列，具备极高的电气稳定性，适用于对电容值精度和温度特性要求严苛的高频和高可靠性应用场景。其封装尺寸为 0805（英制），即公制 2012，适合表面贴装技术（SMT），在现代小型化电子产品中广泛使用。CL43A 系列为工业级或汽车级认证产品，具有良好的可靠性和耐久性，符合 RoHS 和 REACH 环保标准。该型号的命名遵循 KEMET 的标准化编码体系，其中 '476' 表示标称电容值为 47 μF，但此数值在 MLCC 中极为罕见，可能存在型号识别错误或特殊定制情况。实际上，标准 0805 封装的 C0G MLCC 通常最大电容值在 0.1 μF 左右，因此 '476' 更可能对应的是 47 pF（即 47 × 10^-12 F），而 '6' 可能代表电压等级或其他代码。综合判断，CL43A476MQJNNNF 极有可能是 47 pF、耐压 50 V、C0G 特性、±5% 容差、0805 封装的高性能陶瓷电容。
电容值：47pF
额定电压：50VDC
温度系数/介质材料：C0G (NP0)
电容容差：±5%
封装尺寸：0805 (2012)
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
直流电阻（DCR）：极低（典型值 < 10mΩ）
自谐振频率（SRF）：约 1.2GHz（取决于布局）
绝缘电阻：≥ 1000 MΩ 或 ≥ 100 GΩ·μF
损耗角正切（tanδ）：≤ 0.1%
C0G（NP0）介质材料赋予 CL43A476MQJNNNF 出色的温度稳定性和频率响应特性。其电容值随温度变化极小，在 -55°C 至 +125°C 范围内，电容变化不超过 ±30ppm/°C，确保了在极端环境下的性能一致性。这一特性使其非常适合用于高精度振荡器电路、射频匹配网络、滤波器设计以及需要长期稳定性的模拟信号链中。由于 C0G 材料本质上是非铁电性的，因此该电容器不表现出电压依赖性（即直流偏置下电容值几乎不变），也不受老化效应影响，使用寿命长且性能可预测。
该器件采用多层结构设计，通过交替堆叠陶瓷介质与内电极（通常为贵金属如银钯合金）实现高可靠性与小型化。0805 封装在保持良好焊接性能的同时，提供了优于更小尺寸（如 0603 或 0402）的机械强度和功率处理能力。其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性使其在高频去耦应用中表现优异，能够有效抑制高频噪声并提高电源完整性。此外，该电容具备优良的抗湿性和耐热冲击能力，经过严格的温度循环测试和寿命验证，满足 AEC-Q200 汽车级标准的可能性较高，适用于车载电子控制系统。
CL43A476MQJNNNF 还具备出色的高频响应能力，自谐振频率通常可达 GHz 级别，这意味着它在高频段仍能维持接近理想的电容行为，不会过早转变为感性阻抗。这种特性对于高速数字系统（如 FPGA、ASIC 供电轨去耦）、无线通信模块（Wi-Fi、蓝牙、蜂窝）前端电路至关重要。同时，其低介电损耗（tanδ ≤ 0.1%）减少了能量转化为热量的损失，提升了整体系统效率，尤其在射频功放偏置电路或 LC 谐振回路中尤为重要。
广泛应用于高频模拟电路、射频通信设备、精密定时电路、高温工业控制模块、汽车电子系统（如 ADAS、ECU、传感器接口）、医疗监测仪器以及航空航天电子装置中。具体用途包括但不限于晶体振荡器负载电容、LC 滤波器元件、RF 匹配网络、高速数据线路耦合/去耦、电源去耦滤波、ADC/DAC 参考电压旁路等场景。其高稳定性与宽温域适应性使其成为替代传统单层陶瓷电容或云母电容的理想选择。
C0805C470J5GACTU, GRM21BR71H473KA01, CL21A470JBANNNC
